[发明专利]失效单元测试方法及装置、存储介质、电子设备

说明书

本公开是关于一种失效单元测试方法及装置、存储介质、电子设备，涉及集成电路技术领域。该失效单元测试方法包括：在系统开机后，向所述DRAM中写入测试数据；停止向所述DRAM发送刷新指令，并等待预设时间；读取所述DRAM中的数据，并将所述读取的数据与写入的所述测试数据进行比较，根据所述读取的数据与写入的所述测试数据比较的结果，确定所述DRAM中发生翻转的数据；根据所述发生翻转的数据所在的存储单元确定所述DRAM中的失效单元。本公开提供一种在应用端执行失效单元测试的方法。

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域，具体而言，涉及一种失效单元测试方法及装置、存储介质、电子设备。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，以存储在存储单元电容器中的电荷的形式对数据进行存储。由于存储在存储单元电容器中的电荷随着时间的推移而泄漏，所以DRAM具有有限的数据保留特性。

数据保留时间是衡量数据保留特性的重要指标，是数据保留在DRAM单元中的持续时间。在DRAM出厂前的最终良率测试中，会有关于数据保留时间劣化的测试。

然而，对于应用端的系统级芯片而言，如果系统运行于失效单元上，会导致系统崩溃。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种失效单元测试方法及装置、存储介质、电子设备，以提供一种在应用端执行失效单元测试的方法。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种失效单元测试方法，应用于动态随机存取存储器DRAM，所述方法包括：

在系统开机后，向所述DRAM中写入测试数据；

停止向所述DRAM发送刷新指令，并等待预设时间；

读取所述DRAM中的数据，并将所述读取的数据与写入的所述测试数据进行比较，根据所述读取的数据与写入的所述测试数据比较的结果，确定所述DRAM中发生翻转的数据；

根据所述发生翻转的数据所在的存储单元确定所述DRAM中的失效单元。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述读取的数据与写入的所述测试数据不同时，则所述DRAM中当前存储单元的数据发生翻转。

在本公开的一种示例性实施例中，所述数据发生翻转包括：写入的所述测试数据为1，所述读取的数据为0的情况；

或者，写入的所述测试数据为0，所述读取的数据为1的情况。

在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：

根据所述读取的数据与写入的所述测试数据比较的结果，确定所述DRAM中存储单元的数据保留时间。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述读取的数据与写入的所述测试数据不同时，所述DRAM中当前存储单元的数据保留时间小于所述预设时间。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述读取的数据与写入的所述测试数据相同时，所述DRAM中当前存储单元的数据保留时间大于或等于所述预设时间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述预设时间为第一子预设时间或第二子预设时间，所述第一子预设时间小于所述第二子预设时间。

在本公开的一种示例性实施例中，在等待所述第一子预设时间后，如果所述读取的数据与写入的所述测试数据不同，则所述DRAM中存储单元的数据保留时间小于所述第一子预设时间；