[发明专利]失效单元测试方法及装置、存储介质、电子设备

权利要求书

1.一种失效单元测试方法，应用于动态随机存取存储器DRAM，其特征在于，所述方法包括：

在系统开机后，向所述DRAM中写入测试数据；

停止向所述DRAM发送刷新指令，并等待预设时间；

读取所述DRAM中的数据，并将所述读取的数据与写入的所述测试数据进行比较，根据所述读取的数据与写入的所述测试数据比较的结果，确定所述DRAM中发生翻转的数据；

根据所述发生翻转的数据所在的存储单元确定所述DRAM中的失效单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述读取的数据与写入的所述测试数据不同时，则所述DRAM中当前存储单元的数据发生翻转。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述数据发生翻转包括：写入的所述测试数据为1，所述读取的数据为0的情况；

或者，写入的所述测试数据为0，所述读取的数据为1的情况。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述读取的数据与写入的所述测试数据比较的结果，确定所述DRAM中存储单元的数据保留时间。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述读取的数据与写入的所述测试数据不同时，所述DRAM中当前存储单元的数据保留时间小于所述预设时间。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述读取的数据与写入的所述测试数据相同时，所述DRAM中当前存储单元的数据保留时间大于或等于所述预设时间。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设时间为第一子预设时间或第二子预设时间，所述第一子预设时间小于所述第二子预设时间。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在等待所述第一子预设时间后，如果所述读取的数据与写入的所述测试数据不同，则所述DRAM中存储单元的数据保留时间小于所述第一子预设时间；

在等待所述第二子预设时间后，如果所述读取的数据与写入的所述测试数据相同，则所述DRAM中存储单元的数据保留时间大于或等于所述第二子预设时间；

在等待所述第一子预设时间后，如果所述读取的数据与写入的所述测试数据相同，但等待所述第二子预设时间后，如果所述读取的数据与写入的所述测试数据不同，则所述DRAM中存储单元的数据保留时间大于或等于所述第一子预设时间且小于所述第二子预设时间。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一子预设时间为64ms或96ms，所述第二子预设时间为96ms或128ms。

10.根据权利要求4-9任一项所述的方法，其特征在于，所述数据保留时间包括数据保留在所述存储单元中所持续的时间。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刷新指令包括SR指令和AR指令。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，停止向所述DRAM发送刷新指令包括：

通过所述系统中的CPU关闭所述AR指令和所述SR指令。

13.一种失效单元测试装置，应用于动态随机存取存储器DRAM，其特征在于，所述装置包括：

测试数据写入模块，用于在系统开机后，向所述DRAM中写入测试数据；

指令控制模块，用于停止向所述DRAM发送刷新指令，并等待预设时间；

数据比较模块，用于读取所述DRAM中的数据，并将所述读取的数据与写入的所述测试数据进行比较，根据所述读取的数据与写入的所述测试数据比较的结果，确定所述DRAM中发生翻转的数据；

失效单元确定模块，用于根据所述发生翻转的数据所在的存储单元确定所述DRAM中的失效单元。