[发明专利]光罩的形成方法

说明书

本公开提供了一种光罩的形成方法。此方法包括提供设置在吸收体顶部上的硬遮罩层、覆盖层和设置在基材上的多层。此方法包括在硬遮罩层上方形成中间层，在中间层上方形成光阻层，图案化光阻层，透过图案化的光阻层蚀刻中间层，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层，然后，透过图案化的硬遮罩层蚀刻吸收体。在部分实施例中，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层包括干式蚀刻制程，此干式蚀刻制程具有对硬遮罩层的第一去除速率和对中间层的第二去除速率，并且对硬遮罩层的第一去除速率与对中间层的第二去除速率的比例大于5。

技术领域

本公开涉及光罩的形成方法。

背景技术

微影操作是半导体制造过程中的一些关键操作。微影技术包括紫外光微影(ultraviolet lithography)、深紫外光微影(deep ultraviolet lithography)和极紫外光微影(extreme ultraviolet lithography,EUVL)。在这种技术中，光罩是微影操作中的重要组成部分。例如，在极紫外光微影中，制造具有高反射率部分和高吸收率部分的具有高对比度的极紫外光光罩是至关重要的。随着尺寸缩小以制造更小的特征，较新的集成电路技术需要具有更窄的临界尺寸的更精细的图案。因此，需要新的和改进的极紫外光光罩膜结构以提高微影分辨率，并且需要更强健的制程来制造这种极紫外光光罩。

发明内容

依据本公开的部分实施例，提供一种形成光罩的方法，包含：提供设置在吸收体顶部上的硬遮罩层、覆盖层和设置在基材上的多层；形成中间层于硬遮罩层上；形成光阻层于中间层上；图案化光阻层；透过图案化的光阻层蚀刻中间层；透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层；以及透过图案化的硬遮罩层蚀刻吸收体。

依据本公开的部分实施例，提供一种形成光罩的方法，包含：形成多层于基材上；形成吸收体于设置在多层上的覆盖层上；形成硬遮罩层于吸收体上；形成中间层于硬遮罩层上，其中中间层包含选自于由氧硼化钽(TaBO)、氮硼化钽(TaBN)、氮氧化硼钽(TaBON)、钯(Pd)或镍(Ni)所组成的群组中的一种或多种；形成光阻层于中间层上；图案化光阻层；透过图案化的光阻层蚀刻中间层；以及在蚀刻中间层之后，对硬遮罩层进行干式蚀刻制程，其中，干式蚀刻制程具有对硬遮罩层的第一去除速率和对中间层的第二去除速率，并且对硬遮罩层的第一去除速率与对中间层的第二去除速率的比例大于5。

依据本公开的部分实施例，提供一种形成光罩的方法，包含：形成中间层于极紫外膜堆叠上，极紫外膜堆叠包含基材、在基材上的多层，在多层上的覆盖层，在覆盖层上的吸收体和在吸收体上的硬遮罩层；形成光阻层于中间层上，其中中间层包含选自于由氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiN)、氮硼化硅(SiBN)、碳硼化硅(SiBC)、氮碳化硼硅(SiBCN)或聚硅氧烷所组成的群组中的一种或多种；图案化光阻层；透过图案化的光阻层来图案化中间层；透过图案化的中间层来图案化硬遮罩层；以及透过图案化的硬遮罩层来图案化吸收体。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本公开。要强调的是，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制，仅用于说明目的。实际上，为了讨论的清楚，各种特征的尺寸可以任意地增加或减小。

图1A、图1B和图1C绘示根据本公开的不同实施例的极紫外光光罩结构；

图2A、图2B和图2C示意性地绘示根据本公开的不同实施例的用于制造极紫外光光罩的策略；

图3A、图3B和图3C示意性地绘示根据本公开的不同实施例的制造极紫外光光罩的方法的依序的制程步骤；

图4A、图4B、图4C、图4D、图4E和图4F示意性地绘示根据本公开的不同实施例的制造极紫外光光罩的方法的依序的制程步骤；

图5绘示根据本公开的不同实施例的制造极紫外光光罩的示例性方法的流程图；

图6绘示根据本公开的不同实施例的制造极紫外光光罩的另一示例性方法的流程图；