[发明专利]光罩的形成方法

权利要求书

1.一种光罩的形成方法，其特征在于，包含：

提供设置在吸收体的顶部上的一硬遮罩层、一覆盖层和设置在一基材上的一多层；

形成一中间层于该硬遮罩层上；

形成一光阻层于该中间层上；

图案化该光阻层；

透过图案化的该光阻层蚀刻该中间层；

透过图案化的该中间层蚀刻该硬遮罩层；以及

透过图案化的该硬遮罩层蚀刻该吸收体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，透过图案化的该中间层蚀刻该硬遮罩层包含一干式蚀刻制程，该干式蚀刻制程具有对该硬遮罩层的一第一去除速率和对该中间层的一第二去除速率，并且对该硬遮罩层的该第一去除速率与对该中间层的该第二去除速率的一比例大于5。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，该中间层包含选自于由氧硼化钽(TaBO)、氮硼化钽(TaBN)、氮氧化硼钽(TaBON)、钯(Pd)或镍(Ni)所组成的群组中的一个或多个。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，该中间层包含选自于由氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiN)、氮硼化硅(SiBN)、碳硼化硅(SiBC)、氮碳化硼硅(SiBCN)或聚硅氧烷所组成的群组中的一个或多个。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，该硬遮罩层包含一金属层，该金属层包含铬或钛，或者氮氧化铬(CrON)、硼化钽(TaB)、氧化钽(TaO)、氧硼化钽(TaBO)或氮硼化钽(TaBN)之一，或者来自氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiON)之一的一硅基化合物，并且具有在2纳米至15纳米之间的一厚度。

6.一种光罩的形成方法，其特征在于，包含：

形成一多层于一基材上；

形成一吸收体于设置在该多层上的一覆盖层上；

形成一硬遮罩层于该吸收体上；

形成一中间层于该硬遮罩层上，其中该中间层包含选自于由氧硼化钽(TaBO)、氮硼化钽(TaBN)、氮氧化硼钽(TaBON)、钯(Pd)或镍(Ni)所组成的群组中的一种或多种；

形成一光阻层于该中间层上；

图案化该光阻层；

透过图案化的该光阻层蚀刻该中间层；以及

在蚀刻该中间层之后，对该硬遮罩层进行一干式蚀刻制程，

其中，该干式蚀刻制程具有对该硬遮罩层的一第一去除速率和对该中间层的一第二去除速率，并且对该硬遮罩层的该第一去除速率与对该中间层的该第二去除速率的一比例大于5。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，其中，该中间层包含多个子层，其中，所述多个子层中的至少一个子层包含一含金属的材料，并且所述多个子层的至少另一个子层包含一含硅的材料。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，其还包含透过图案化的该硬遮罩层蚀刻该吸收体。

9.一种光罩的形成方法，其特征在于，包含：

形成一中间层于一极紫外膜堆叠上，该极紫外膜堆叠包含一基材、在该基材上的一多层，在该多层上的一覆盖层，在该覆盖层上的一吸收体和在该吸收体上的一硬遮罩层；

形成一光阻层于该中间层上，其中该中间层包含选自于由氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiN)、氮硼化硅(SiBN)、碳硼化硅(SiBC)、氮碳化硼硅(SiBCN)或聚硅氧烷所组成的群组中的一种或多种；

图案化该光阻层；

透过图案化的该光阻层来图案化该中间层；

透过图案化的该中间层来图案化该硬遮罩层；以及

透过图案化的该硬遮罩层来图案化该吸收体。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，其中，该吸收体包含钽，或选自于由钽、钴、铬、碲、铂、钯、钌、铱、镍和/或它们的合金(包含氮化物、碳化物、氧化物和/或硼化物的衍生物)所组成的群组中的一种或多种。