[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供能够降低噪声的半导体装置。实施方式的半导体装置(100)具备：IC芯片，在第一面具有第一端子以及第二端子；和第一硅电容器，与所述IC芯片的所述第一面对置，并在与所述第一面对置的第二面具有通过第一导电部件与所述第一端子电连接的第一电极和通过第二导电部件与所述第二端子电连接的第二电极。

本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。本申请将日本专利申请2020-153215号(申请日：2020年9月11日)作为基础申请来享有优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

以往，公知有一种通过电容器来降低半导体装置的噪声的技术。

发明内容

实施方式提供能够降低噪声的半导体装置。

实施方式涉及的半导体装置具备：IC芯片，在第一面具有第一端子以及第二端子；和第一硅电容器，与所述IC芯片的所述第一面对置，并在与所述第一面对置的第二面具有通过第一导电部件与所述第一端子电连接的第一电极和通过第二导电部件与所述第二端子电连接的第二电极。

附图说明

图1是表示第一实施方式涉及的半导体装置的俯视图。

图2是图1的A-A′线处的剖视图。

图3是表示第一实施方式涉及的半导体装置的IC芯片的俯视图。

图4是第一实施方式涉及的半导体装置的电路图。

图5是表示第一实施方式涉及的半导体装置的IC芯片以及硅电容器的俯视图。

图6是将图2的由双点划线B包围的区域放大表示的剖视图。

图7是表示第二实施方式涉及的半导体装置的俯视图。

图8是第二实施方式涉及的半导体装置的电路图。

图9是表示第三实施方式涉及的半导体装置中的IC芯片以及硅电容器的俯视图。

图10中的(a)是图9的C-C′线处的剖视图，图10中的(b)是表示电流的路线以及磁场的方向的剖视图。

图11是表示第四实施方式涉及的半导体装置的俯视图。

图12是图11的D-D′线处的剖视图。

图13是表示第四实施方式涉及的半导体装置的IC芯片、第一硅电容器以及第二硅电容器的俯视图。

图14是第四实施方式涉及的半导体装置的电路图。

图15是表示第四实施方式涉及的半导体装置中的第一硅电容器以及第二硅电容器的变形例的俯视图。

图16是表示第五实施方式涉及的半导体装置的剖视图。

图17是表示第六实施方式涉及的半导体装置的俯视图。

图18是图17的E-E′线处的剖视图。

图19是表示第七实施方式涉及的半导体装置的俯视图。

图20是图19的F-F′线处的剖视图。

图21是表示第八实施方式涉及的半导体装置的俯视图。

图22是图21的G-G′线处的剖视图。

具体实施方式

＜第一实施方式＞

首先，对第一实施方式进行说明。

图1是表示本实施方式涉及的半导体装置的俯视图。