[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202110225631.3 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN114256219A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 细川淳;新德恭久;野稻泰一;片山义晴 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/488;H02P29/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 房永峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
IC芯片,在第一面具有第一端子以及第二端子;和
第一硅电容器,与所述IC芯片的所述第一面对置,并在与所述第一面对置的第二面具有通过第一导电部件与所述第一端子电连接的第一电极和通过第二导电部件与所述第二端子电连接的第二电极。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,还具备:
管芯焊盘,所述IC芯片被设置在该管芯焊盘之上;
第一导线,与所述第一端子电连接;
第二导线,与所述第二端子电连接;以及
密封部件,对所述IC芯片以及所述第一硅电容器进行密封。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
还具备与所述第一端子以及所述第一导线电连接并被所述密封部件密封的电感器。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述IC芯片还具有与所述第一端子以及所述第二端子电连接的第一电路,
所述第一硅电容器位于所述第一电路的正上方。
5.根据权利要求1~3中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
在所述IC芯片的所述第一面还设置有第三端子,
所述第二端子被配置在所述第一端子与所述第三端子之间,
所述第一电极具有通过所述第一导电部件与所述第一端子电连接的第一部分和通过第三导电部件与所述第三端子电连接的第二部分,
所述第二电极具有位于所述第一部分与所述第二部分之间并通过所述第二导电部件与所述第二端子电连接的第三部分。
6.根据权利要求1~3中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述IC芯片在所述第一面还具有第四端子以及第五端子,
所述半导体装置还具备第二硅电容器,所述第二硅电容器与所述第一面对置,并在与所述第一面对置的第三面具有通过第四导电部件与所述第四端子连接的第三电极和通过第五导电部件与所述第五端子连接的第四电极。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,
所述IC芯片还具有与所述第四端子以及所述第五端子电连接的第二电路,
所述第二硅电容器位于所述第二电路的正上方。
8.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一电极以及所述第三电极是正极以及负极中的一方,
所述第二电极以及所述第四电极是所述正极以及所述负极中的另一方,
从所述第一电极朝向所述第二电极的方向与从所述第三电极朝向所述第四电极的方向为相反方向。
9.一种半导体装置,其特征在于,具备:
管芯焊盘;
IC芯片,被设置在所述管芯焊盘上,并具有第一端子以及第二端子;
第一硅电容器,具有经由第一布线部件与所述第一端子电连接的第一电极和经由第二布线部件与所述第二端子电连接的第二电极;
第一导线,与所述第一端子电连接;
第二导线,与所述第二端子电连接;以及
密封部件,对所述IC芯片以及所述第一硅电容器进行密封。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一硅电容器设置在所述管芯焊盘上。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,
所述IC芯片还具有与所述第一端子以及所述第二端子电连接的第一电路,
在俯视下所述第一电路位于所述IC芯片的中心与所述第一硅电容器之间。
12.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一硅电容器被设置在所述IC芯片上。
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