[发明专利]晶圆清洗刷及晶圆清洗装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗刷及晶圆清洗装置。所述晶圆清洗刷包括：滚筒；刷头，凸设于所述滚筒表面，用于刷洗晶圆，所述刷头包括沿第一方向平行排列的多个子刷头，每个所述子刷头包括沿第二方向平行排布的多个凸起部，所述第一方向平行于所述滚筒的轴线方向，所述第二方向相对于所述第一方向倾斜预设角度。本发明避免了清洗液在所述晶圆表面的残留，提高了晶圆清洗效果，进而改善了半导体产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗刷及晶圆清洗装置。

背景技术

化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是半导体制造过程中的一种重要工艺步骤。化学机械研磨是一个通过化学反应过程和机械研磨过程共同作用的工艺。研磨过程中研磨头施加一定的压力在晶圆背面，使得晶圆正面紧贴研磨垫。研磨垫自身进行旋转，同时，且研磨头带动晶圆与所述研磨垫同方向旋转，使得晶圆正面与研磨垫表面产生机械摩擦。在研磨过程中，通过一系列复杂的机械和化学作用去除晶圆表面的一定厚度的膜层，从而达到晶圆平坦化的目的。

在化学机械研磨工序结束之后，通常需要对研磨后的晶圆进行清洗，以除去晶圆表面的研磨残留物。晶圆清洗通常是采用清洗刷对晶圆进行刷洗，清洗的效果对最终晶圆产品的良率影响很大。但是，当前的晶圆清洗效果较差，清洗工序结束之后经常还会在晶圆表面残留化学清洗液等杂质。化学清洗液结晶之后会在晶圆表面形成凸块，从而影响后续工序的正常进行。

因此，如何提高晶圆清洗效果，避免化学清洗液在晶圆表面的残留，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种晶圆清洗刷及晶圆清洗装置，用于解决现有技术中化学清洗液易在晶圆表面残留的问题，以改善晶圆清洗效果，提高产品良率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种晶圆清洗刷，包括：

滚筒；

刷头，凸设于所述滚筒表面，用于刷洗晶圆，所述刷头包括沿第一方向平行排列的多个子刷头，每个所述子刷头包括沿第二方向平行排布的多个凸起部，所述第一方向平行于所述滚筒的轴线方向，所述第二方向相对于所述第一方向倾斜预设角度。

可选的，还包括：

第一调整结构，连接所述子刷头，用于旋转所述子刷头，以调整所述预设角度。

可选的，在沿所述第二方向上，相邻所述凸起部之间的第一间隔大于或者等于第一预设宽度，所述第一预设宽度为一个所述凸起部的截面宽度的1/3～1/2，所述凸起部的截面宽度为所述凸起部在所述滚筒表面的投影沿所述第二方向的宽度。

可选的，在沿所述第一方向上，相邻所述凸起部之间的第二间隔大于第二预设宽度，所述第二预设宽度为一个所述凸起部的截面宽度的1/3～1/2，所述凸起部的截面宽度为所述凸起部在所述滚筒表面的投影沿所述第二方向的宽度。

可选的，所述第一间隔小于或者等于所述第二间隔。

可选的，所述子刷头还包括：

导流部，位于相邻的两个所述凸起部之间，用于限定化学清洗液在所述滚筒上的流向。

可选的，所述导流部呈直线条状结构；

在沿所述第二方向上，所述导流部的相对两端分别与两个相邻的所述凸起部连接。

可选的，所述导流部的高度小于所述凸起部的高度。

可选的，所述凸起部与所述导流部的材料均为柔性材料。

可选的，所述预设角度为大于或者等于30度且小于或者等于60度。

可选的，同一所述子刷头中所有所述凸起部的高度均相同；