[发明专利]一种光发射器件制造过程中芯片工作温度对比方法

说明书

本发明提供一种光发射器件制造过程中芯片工作温度对比方法，一、采用带控温的加电仪表对光发射器件的不带电驱动芯片进行加电控温，用光纤将芯片发光传到波长计探测波长；二、使用直流稳压电源配合软件对光发射器件的带电驱动芯片进行加电控温，使光芯片发光，用光纤将芯片发光先传到分波器再用波长计分别探测各通道波长；三、将上述两种方法得出的光芯片的波长对应出光芯片的实际温度，并进行实际工作温度的对比；四、当使用直流稳压电源配合软件对光发射器件的带电驱动芯片进行加电控温时，对比每多开一个通道光芯片的工作实际温度。旨在探测不同控温设备和同时给器件内不同数量芯片加电芯片工作时的实际温度。

技术领域

本发明涉及光通信有源光发射器件制造技术领域，特别涉及一种光发射器件制造过程中芯片工作温度对比方法。

背景技术

传输速率越高，越高端的光发射器件制造成本越高，在制造与使用过程中由于其中波长范围和光学原件的作用对波长和温度稳定性的要求也越高。

并且成本高的原因也包括大部分高端光发射配备了控温元件半导体制冷器TEC，在制造和使用过程中需要将光器件用带温控的仪表或者软件等等不同的方法将整个器件控温到同一温度下，由于器件的精密程度和气密结构无法直接探测芯片工作的具体温度。

以4通道LANWDM光发射器件为例，LANWDM波长分布为1295.56±1.05nm,1300.05±1.05nm，1304.58±1.05nm，1309.14±1.05nm。

器件中包括重要光学原件：合波器，由于LANWDM波长分布的规则，合波器设计为入光侧采用了四个不同的滤波片，四个滤波片通过精准镀膜来实现只能通过指定的波长范围，即上述LANWDM波长分布。

由于合波器的这个特点，而器件内核心部件光芯片的波长会随温度的变化存在0.1nm/℃的变化率，个别光芯片如果波长偏上限或者下限，温度如果偏离1-2℃发射光的波长超出合波器滤波片的通过范围整个通道功率就都会消失，这样就对器件内光芯片的实际温度准确性和不同控温设备的差异要求极高。

发明内容

为了解决背景技术提出的技术问题，本发明提供一种光发射器件制造过程中芯片工作温度对比方法，旨在探测不同控温设备和同时给器件内不同数量芯片加电芯片工作时的实际温度。

为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案实现：

一种光发射器件制造过程中芯片工作温度对比方法，所述的方法为探测不同控温设备和同时给器件内不同数量芯片加电工作时的实际温度；包括如下：

一、采用带控温的加电仪表对光发射器件的不带电驱动芯片进行加电控温，直接给光芯片正负极加电，使光芯片发光，用光纤将芯片发光传到波长计探测波长；

二、使用直流稳压电源配合软件对光发射器件的带电驱动芯片进行加电控温，即通过驱动电芯片后再间接给光芯片加电，使光芯片发光，用光纤将芯片发光先传到分波器再用波长计分别探测各通道波长；

三、将上述两种方法得出的光芯片的波长对应出光芯片的实际温度，并进行实际工作温度的对比；

四、当使用直流稳压电源配合软件对光发射器件的带电驱动芯片进行加电控温时，对比每多开一个通道光芯片的工作实际温度。

进一步地，使用同一个光发射器件进行多次探测，每次都控温到同一温度，分别在两种不同加电控温时，测试每次只给某一个通道加电进行波长对比，得出波长数据，能观察两种加电方式在控温相同时观察光芯片实际工作温度是否有差异。

进一步地，当使用直流稳压电源配合软件加电控温时，调节软件将器件温度控制在设定温度，然后分以下情况读出其中一个通道的波长：

1)将分波器的此通道出射光接入波长计探测此通道出光波长；