[发明专利]一种光发射器件制造过程中芯片工作温度对比方法

权利要求书

1.一种光发射器件制造过程中芯片工作温度对比方法，其特征在于，所述的方法为采用不同控温设备对光发射器件进行加电控温时和同时给光发射器件内不同数量光芯片加电工作时的光芯片实际温度的比对方法；包括如下：

1）采用带控温的加电仪表对不带电驱动芯片的光发射器件进行加电控温，直接给光芯片正负极加电，使光芯片发光，用光纤将芯片发光传到波长计探测波长；

2）使用直流稳压电源配合软件对带电驱动芯片的光发射器件进行加电控温，即通过驱动电芯片后再间接给光芯片加电，使光芯片发光，用光纤将芯片发光先传到分波器再用波长计分别探测各通道波长；

3）将上述两种方法得出的光芯片的波长对应出光芯片的实际温度，并进行实际工作温度的对比；

使用同一个光发射器件进行多次探测，每次都控温到同一温度，分别在两种不同加电控温时，测试每次只给一个通道加电进行波长对比，得出波长数据，能在 两种加电方式下控温相同时观察光芯片实际工作温度是否有差异；

4）当使用直流稳压电源配合软件对带电驱动芯片的光发射器件进行加电控温时，对比每多开一个通道光芯片的工作实际温度；

当使用直流稳压电源配合软件加电控温时，调节软件将器件温度控制在设定温度，然后分以下情况读出其中一个通道的波长：

1）将分波器的此通道出射光接入波长计探测此通道出光波长；

2）单独给此通道加电读出波长，再任意给某一通道加电实现同时给两个通道加电读出此通道波长；

3）再同时给三个通道加电读出此通道波长，同时给四个通道加电读出此通道波长；

4）以此类推，最后同时给所有通道加电，读出此通道波长。