[发明专利]集成电路及其形成方法

说明书

本文公开的实施例涉及一种包括金属轨的集成电路。在一方面，集成电路包括第一层和第二层，第一层包括第一金属轨，第二层包括第二金属轨，其中，第二层沿第一方向在第一层的上方。在一方面，集成电路包括第三层，第三层包括晶体管的有源区域，其中，第三层沿第一方向在第二层的上方。在一方面，集成电路包括第四层，第四层包括第三金属轨，其中，第四层沿第一方向在第三层的上方。在一方面，集成电路包括第五层，第五层包括第四金属轨，其中，第五层沿第一方向在第四层的上方。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路及其形成方法。

背景技术

最近，集成电路(IC)小型化的趋势已经导致较小的装置，其在较高的速度下消耗较少的功率但提供更多的功能。小型化过程也带来了较严格的设计和制造规范以及可靠性挑战。各种电子设计自动化(EDA)工具产生、优化和验证集成电路的标准单元布局图案，同时确保满足标准单元布局设计和制造规范。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种集成电路，包括：第一层，包括第一金属轨；第二层，包括第二金属轨，第二层沿第一方向在第一层的上方；第三层，包括晶体管的有源区域，第三层沿第一方向在第二层的上方；第四层，包括第三金属轨，第四层沿第一方向在第三层的上方；以及第五层，包括第四金属轨，第五层沿第一方向在第四层的上方。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种形成集成电路的方法，方法包括：形成包括第一金属轨的第一层；形成包括第二金属轨的第二层，第二层沿第一方向在第一层的上方；形成第三层，第三层包括晶体管的有源区域，第三层沿第一方向在第二层的上方；形成包括第三金属轨的第四层，第四层沿第一方向在第三层的上方；以及形成包括第四金属轨的第五层，第五层沿第一方向在第四层的上方。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种集成电路，包括：第一层，包括晶体管的有源区域；第二层，包括第一金属轨，第一金属轨直接耦合至晶体管的有源区域的第一侧，第二层沿第一方向在第一层的上方；第三层，包括第二金属轨，第二金属轨通过第一通孔接触件耦合至晶体管的有源区域的第二侧，第二侧背离第一侧，第一层沿第一方向在第三层的上方；以及第四层，包括第三金属轨，第三金属轨通过第二通孔接触件耦合至第二金属轨，第三层沿第一方向在第四层的上方。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A至图1C是根据一个实施例的包括背面电源轨和背面金属轨的电路的布局设计的顶部平面图。

图2A是根据一个实施例的根据图1A至图1C的布局设计形成的集成电路沿I-I’的截面图。

图2B是根据一个实施例的根据图1A至图1C的布局设计形成的集成电路沿II-II’的截面图。

图3A和3B是根据一个实施例的包括背面金属轨的集成电路的布局设计的顶部平面图。

图4A和4B是根据一个实施例的包括背面金属轨的集成电路的布局设计的顶部平面图。

图5A和5B是根据一个实施例的包括背面金属轨的集成电路的布局设计的顶部平面图。

图6A和6B是根据一个实施例的包括背面金属轨的集成电路的布局设计的顶部平面图。

图6C是根据一个实施例的根据图6A和图6B的布局设计形成的集成电路沿A-A’的截面图。

图6D是根据一个实施例的根据图6A和图6B的布局设计形成的集成电路沿B-B’的截面图。

图7是根据一个实施例的包括背面金属轨的集成电路的布局设计的顶部平面图。