[发明专利]集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

第一层，包括第一金属轨；

第二层，包括第二金属轨，所述第二层沿第一方向在所述第一层的上方；

第三层，包括晶体管的有源区域，所述第三层沿所述第一方向在所述第二层的上方；

第四层，包括第三金属轨，所述第四层沿所述第一方向在所述第三层的上方；以及

第五层，包括第四金属轨，所述第五层沿所述第一方向在所述第四层的上方。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一金属轨用于通过所述第二金属轨向所述晶体管的所述有源区域提供电源电压。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第三金属轨用于提供来自所述晶体管的电信号或向所述晶体管提供电信号。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一金属轨通过第一通孔接触件电耦合至所述第二金属轨，并且所述第二金属轨通过第二通孔接触件电耦合至所述晶体管的所述有源区域的第一侧。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第三金属轨直接耦合至所述晶体管的所述有源区域的第二侧。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述第四层包括：

第五金属轨，直接耦合至所述晶体管的另一有源区域。

7.根据权利要求6所述的集成电路，

其中，所述第三金属轨在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，其中，所述第三金属轨包括第一端和第二端，并且

其中，所述第五金属轨在所述第二方向上延伸，其中，所述第五金属轨包括第三端和第四端，其中，所述第三金属轨的所述第一端和所述第五金属轨的所述第三端是对齐的，其中，所述第三金属轨的所述第二端和所述第五金属轨的所述第四端是对齐的。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述第二层包括：

第六金属轨，耦合至所述晶体管的所述另一有源区域。

9.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：

形成包括第一金属轨的第一层；

形成包括第二金属轨的第二层，所述第二层沿第一方向在所述第一层的上方；

形成第三层，所述第三层包括晶体管的有源区域，所述第三层沿所述第一方向在所述第二层的上方；

形成包括第三金属轨的第四层，所述第四层沿所述第一方向在所述第三层的上方；以及

形成包括第四金属轨的第五层，所述第五层沿所述第一方向在所述第四层的上方。

10.一种集成电路，包括：

第一层，包括晶体管的有源区域；

第二层，包括第一金属轨，所述第一金属轨直接耦合至所述晶体管的所述有源区域的第一侧，所述第二层沿第一方向在所述第一层的上方；

第三层，包括第二金属轨，所述第二金属轨通过第一通孔接触件耦合至所述晶体管的所述有源区域的第二侧，所述第二侧背离所述第一侧，所述第一层沿所述第一方向在所述第三层的上方；以及

第四层，包括第三金属轨，所述第三金属轨通过第二通孔接触件耦合至所述第二金属轨，所述第三层沿所述第一方向在所述第四层的上方。