[发明专利]发光二极管芯片

说明书

本发明实施例公开了一种发光二极管芯片，例如包括：第一掺杂类型半导体层；第二掺杂类型半导体层；以及多量子阱结构层，形成在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层之间。其中，所述多量子阱结构层包括在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层的距离方向上层叠设置的多个第一量子阱结构和至少一个第二量子阱结构，所述多个第一量子阱结构用于发射第一颜色光，所述至少一个第二量子阱结构用于发射不同于所述第一颜色光的第二颜色光，且所述至少一个第二量子阱结构的阱层总数为所述多个第一量子阱结构中位于所述至少一个第二量子阱结构与所述第二掺杂类型半导体层之间的第一量子阱结构的阱层总数的1/15～1/5。

技术领域

本发明涉及固态发光器件技术领域，尤其涉及一种发光二极管芯片。

背景技术

目前的显示屏市场主要是由LCD显示屏、OLED显示屏和LED显示屏三大部分组成，LCD显示屏和OLED显示屏的显示效果较优，LED显示屏目前只有LED直显和mini-LED背光+QD滤光片可以媲美。LED直显和mini-LED背光+QD滤光片的特点是RGB三基色的光谱够窄(半波宽小)，这是目前荧光粉难以达到的，或至少是绿色荧光粉所达不到的效果，mini-LED背光+QD滤光片目前也还不成熟，亮度较差以及信赖性也未完全解决。

因此，如何既满足亮度及信赖性、又达到发射光光谱够窄等要求是目前待解决的技术问题。

发明内容

因此，为克服现有技术存在的至少部分缺陷与不足，本发明实施例提供一种发射光谱具有多个峰值波长的发光二极管芯片。

具体地，本发明实施例提出的一种发光二极管芯片，包括：第一掺杂类型半导体层；第二掺杂类型半导体层；以及，多量子阱结构层，形成在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层之间。其中，所述多量子阱结构层包括在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层的距离方向上层叠设置的多个第一量子阱结构和至少一个第二量子阱结构，所述多个第一量子阱结构用于发射第一颜色光，所述至少一个第二量子阱结构用于发射不同于所述第一颜色光的第二颜色光，且所述至少一个第二量子阱结构的阱层总数为所述多个第一量子阱结构中位于所述至少一个第二量子阱结构与所述第二掺杂类型半导体层之间的第一量子阱结构的阱层总数的1/15～1/5。

在本发明的一个实施例中，所述第一掺杂类型半导体层为N型半导体层，所述第二掺杂类型半导体层为P型半导体层，所述多个第一量子阱结构为多个蓝光量子阱结构且用于发射蓝光，所述至少一个第二量子阱结构为至少一个绿光量子阱结构且用于发射绿光。

在本发明的一个实施例中，所述发光二极管芯片的发射光谱具有位于蓝光波段的第一峰值和位于绿光波段的第二峰值，所述第二峰值的强度为所述第一峰值的强度的20％～60％，所述第一峰值的波长位于430～470纳米范围内，所述第二峰值的波长位于510～550纳米范围内。

在本发明的一个实施例中，所述至少一个绿光量子阱结构的每一者的垒层厚度为其阱层厚度的1～4倍，所述多个蓝光量子阱结构的每一者的垒层厚度为其阱层厚度的1～4倍。

在本发明的一个实施例中，所述至少一个绿光量子阱结构的每一者的阱层厚度等于所述多个蓝光量子阱结构的每一者的阱层厚度，且所述至少一个绿光量子阱结构的每一者的垒层厚度等于所述多个蓝光量子阱结构的每一者的垒层厚度。

在本发明的一个实施例中，所述多个蓝光量子阱结构中位于所述至少一个绿光量子阱结构与所述P型半导体层之间的蓝光量子阱结构的至少一者的垒层厚度大于所述至少一个绿光量子阱结构的每一者的垒层厚度。

在本发明的一个实施例中，所述多个蓝光量子阱结构中位于所述至少一个绿光量子阱结构与所述P型半导体层之间的蓝光量子阱结构的至少一者的垒层厚度小于所述至少一个绿光量子阱结构的每一者的垒层厚度。