[发明专利]发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

第一掺杂类型半导体层；

第二掺杂类型半导体层；以及

多量子阱结构层，形成在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层之间；

其中，所述多量子阱结构层包括在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层的距离方向上层叠设置的多个第一量子阱结构和至少一个第二量子阱结构，所述多个第一量子阱结构用于发射第一颜色光，所述至少一个第二量子阱结构用于发射不同于所述第一颜色光的第二颜色光，且所述至少一个第二量子阱结构的阱层总数为所述多个第一量子阱结构中位于所述至少一个第二量子阱结构与所述第二掺杂类型半导体层之间的第一量子阱结构的阱层总数的1/15～1/5。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一掺杂类型半导体层为N型半导体层，所述第二掺杂类型半导体层为P型半导体层，所述多个第一量子阱结构为多个蓝光量子阱结构且用于发射蓝光，所述至少一个第二量子阱结构为至少一个绿光量子阱结构且用于发射绿光。

3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片的发射光谱具有位于蓝光波段的第一峰值和位于绿光波段的第二峰值，所述第二峰值的强度为所述第一峰值的强度的20％～60％，所述第一峰值的波长位于430～470纳米范围内，所述第二峰值的波长位于510～550纳米范围内。

4.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述至少一个绿光量子阱结构的每一者的垒层厚度为其阱层厚度的1～4倍，所述多个蓝光量子阱结构的每一者的垒层厚度为其阱层厚度的1～4倍。

5.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述至少一个绿光量子阱结构的每一者的阱层厚度等于所述多个蓝光量子阱结构的每一者的阱层厚度，且所述至少一个绿光量子阱结构的每一者的垒层厚度等于所述多个蓝光量子阱结构的每一者的垒层厚度。

6.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述多个蓝光量子阱结构中位于所述至少一个绿光量子阱结构与所述P型半导体层之间的蓝光量子阱结构的至少一者的垒层厚度大于所述至少一个绿光量子阱结构的每一者的垒层厚度。

7.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述多个蓝光量子阱结构中位于所述至少一个绿光量子阱结构与所述P型半导体层之间的蓝光量子阱结构的至少一者的垒层厚度小于所述至少一个绿光量子阱结构的每一者的垒层厚度。

8.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述至少一个绿光量子阱结构为多个绿光量子阱结构，且所述多个绿光量子阱结构在所述距离方向上层叠且相邻设置。

9.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述多个第一量子阱结构的每一者的禁带宽度为2.64～2.88电子伏特，所述至少一个第二量子阱结构的每一者的禁带宽度为2.25～2.43电子伏特，所述第一颜色光的峰值波长小于所述第二颜色光的峰值波长，且所述第一颜色光的峰值强度大于所述第二颜色光的峰值强度。

10.如权利要求1至9任意一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，包括：

衬底；

缓冲层，位于所述衬底上，其中所述第一掺杂类型半导体层、所述多量子阱结构层与所述第二掺杂类型半导体层依次外延生长在所述缓冲层远离所述衬底的一侧；

第一电极，设置在所述第一掺杂类型半导体层上、且与所述第一掺杂类型半导体层形成欧姆接触；以及

第二电极，设置在所述第二掺杂类型半导体层上、且与所述第二掺杂类型半导体层形成欧姆接触；

其中，所述多量子阱结构层为InGaN/GaN多量子阱结构层，且所述至少一个第二量子阱结构的每一者的阱层的铟浓度大于所述多个第一量子阱结构的每一者的阱层的铟浓度。