[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 202110219548.5 | 申请日: | 2021-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN112992662A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
| 发明(设计)人: | 尹雄宣 | 申请(专利权)人: | 武汉京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/84;H01L23/544;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
| 地址: | 430040 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
在透光基底上制作遮光图形;
在所述遮光图形背向所述透光基底的一侧制作功能层;
在所述功能层背向所述透光基底的一侧制作光刻胶过渡图形;
以所述遮光图形为掩膜,在所述透光基底背向所述光刻胶过渡图形的一侧,对所述光刻胶过渡图形进行背面曝光工艺;
对经过背面曝光工艺的光刻胶过渡图形进行显影工艺,形成光刻胶目标图形;
以所述光刻胶目标图形为掩膜对所述功能层进行构图,形成功能图形。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,在所述功能层背向所述透光基底的一侧制作光刻胶过渡图形的步骤具体包括:
在所述功能层背向所述透光基底的一侧制作光刻胶层;
对所述光刻胶层进行构图工艺,形成所述光刻胶过渡图形,所述光刻胶过渡图形覆盖所述遮光图形的至少部分边界。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,以所述遮光图形为掩膜,在所述透光基底背向所述光刻胶过渡图形的一侧,对所述光刻胶过渡图形进行背面曝光工艺的步骤具体包括:
将形成有所述光刻胶过渡图形的显示基板放置在透明的承载台上;
在所述承载台背向所述过渡图形的一侧,对显示基板进行全面曝光,实现以所述遮光图形为掩膜,对所述光刻胶过渡图形进行背面曝光工艺。
4.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,以所述遮光图形为掩膜,在所述透光基底背向所述光刻胶过渡图形的一侧,对所述光刻胶过渡图形进行背面曝光工艺的步骤具体包括:
所述显示基板在传送机之间移动的过程中,实现以所述遮光图形为掩膜,对所述过渡图形进行背面曝光工艺。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,在所述透光基底上制作遮光图形的步骤具体包括:
采用金属材料在所述透光基底上形成栅金属层;
对所述栅金属层进行构图工艺,形成所述遮光图形;
在所述遮光图形背向所述透光基底的一侧制作功能层的步骤具体包括:
采用半导体材料在所述遮光图形背向所述透光基底的一侧制作有源层;
以所述光刻胶目标图形为掩膜对所述功能层进行构图,形成功能图形的步骤具体包括:
以所述光刻胶目标图形为掩膜对所述有源层进行构图,形成有源图形。
6.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,在所述透光基底上制作遮光图形的步骤具体包括:
通过一次构图工艺同时形成所述遮光图形,以及设置于所述显示基板上的基础对位标识和多个补偿对位标识。
7.一种显示基板,其特征在于,采用如权利要求1~6中任一项所述的显示基板的制作方法制作,所述显示基板包括:
透光基底;
设置于所述透光基底上的遮光图形;
设置于所述遮光图形背向所述透光基底的一侧的功能图形,所述功能图形的尺寸小于所述遮光图形的尺寸。
8.根据权利要求7所述显示基板,其特征在于,所述显示基板包括薄膜晶体管,所述遮光图形作为所述薄膜晶体管的栅极,所述功能图形作为所述薄膜晶体管的有源图形。
9.根据权利要求7所述显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:
与所述遮光图形同层同材料设置的基础对位标识和多个补偿对位标识。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7~9中任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





