[发明专利]一种工作在超低相位噪声的10MHZ晶体振荡器

权利要求书

1.一种工作在超低相位噪声的10MHZ晶体振荡器，其特征在于：包括差分放大器、寄生谐振抑制滤波器、电压调谐移相器和晶体谐振器；所述差分放大器的输出口与寄生谐振抑制滤波器的输入口连接，寄生谐振抑制滤波器的输出口与电压调谐移相器的输入口连接，电压调谐移相器的输出口连接晶体谐振器一端，晶体谐振器另一端连接差分放大器的输入口；

所述电压调谐移相器的输入端口分别与变容二极管D2正极、变容二极管D4正极、电容C6上极板、电感L4一端以及寄生谐振抑制滤波器的输出端口相连接；

所述电压调谐移相器的输出口分别与变容二极管D1、变容二极管D3的正极、电容C5的上极板、电感L2一端以及晶体谐振器的一端相连接；

所述变容二极管D1、变容二极管D2、变容二极管D3、变容二极管D4的负极与电感L3一端、电容C5下极板、电容C6下极板相连接；所述电容C5的上极板、电感L2一端、变容二极管D1、变容二极管D3的正极与电压谐振移相器的输出端口相连接；

所述电感L3另一端分别与变容二极管偏置以及电感C7一端相连接；所述电感L2、电感L4、电容C7另一端接地。

2.根据权利要求1所述工作在超低相位噪声的10MHZ晶体振荡器，其特征在于：所述差分放大器包括阻抗变压器、第一NPN型晶体管V1、第二NPN型晶体管V2；所述第一NPN型晶体管V1的基极连接阻抗变压器的上端口T3；所述第一NPN型晶体管V1的集电极分别连接电容C1和电阻R1；所述第一NPN型晶体管V1的发射极分别与第二NPN型晶体管V2的发射极和电阻R3连接。

3.根据权利要求2所述工作在超低相位噪声的10MHZ晶体振荡器，其特征在于：所述第二NPN型晶体管V2的基极连接阻抗变压器的下端口T5；所述第二NPN型晶体管V2的集电极分别连接电容C2和电阻R2；所述第二NPN型晶体管V2的发射极分别与第一NPN型晶体管V1的发射极和电阻R3连接。

4.根据权利要求1所述工作在超低相位噪声的10MHZ晶体振荡器，其特征在于：所述寄生谐振抑制滤波器包括电容C3、电容C4和电感L1，其中，电容C3和电感L1串联连接之后再与电容C4并联连接。