[发明专利]一种高效率硅基微显示器件端子区域打开方法

说明书

本发明公开了一种高效率硅基微显示器件端子区域打开方法，包括以下步骤：步骤一、PET胶带贴合：在完成前段工艺后，在PAD区域贴合上PET胶带；步骤二、封装作业：将贴合完PET胶带的片子进行OLED及薄膜封装作业；步骤三、PET胶带去除：对已进行OLED及薄膜封装的片子进行PET胶带去除，使得PAD区域裸露出来；步骤四、清洗：对步骤三硅片进行清洗，完成端子区域打开工艺。可避免涂布曝光显影造成的图形不良、避免干法刻蚀造成的蚀刻残留及过刻不良、避免湿法去胶不净不良，且降低了对TFE膜层的药液耐受性需求；另一方面缩短工艺流程，极大的节约成本及提高产能。

技术领域

本发明涉及硅基微显技术领域，尤其是涉及一种高效率硅基微显示器件端子区域打开方法。

背景技术

目前，AR、VR技术在飞速发展中，可穿戴式AR、VR设备受到越来越多的人们所关注，其市场需求也对应的在飞速扩展；故随之而来的是AR、VR显示器的研发与进步。在此背景基础下，硅基Micro OLED微显示器件的发展也受到越来越多的人们所青睐；同时，其工艺制程技术也在慢慢的成熟与进步中。在硅基Micro OLED微显示器件制程工艺中，其中模组段工艺中涉及到Die Bond及Wire Bond工艺，及把Die粘合在PCB或FPC上，并通过打线焊接等方式将Die与PCB或FPC连接。Die上的打线区域称为为PAD区域，PAD区域在器件封装段会被封装层所封装，为保证满足打线条件，需把PAD区域封装层去除。

目前硅基micro OLED微显器件端子区域打开的制程工艺比较复杂，工艺为先进行涂布，曝光，显影定义出PAD位置图形，再进行干法蚀刻将图形转移至Die上，最后进行湿法去除光刻胶；以上工艺中，涂胶曝光显影不良，易造成PR异常，影响图形定义，干刻不良，易产生残留以及过刻不良等，造成打线接触不良及导电异常等，湿法去胶工艺，去胶不净造成贴合不良，影响器件性能；且现有工艺对TFE的药液耐受性要求较高，工艺难度大；以及每一道制程都有较多的良率loss，且工艺复杂，工艺制程时间较长，影响产能状况。

发明内容

针对现有技术不足，本发明所要解决的技术问题是提供一种高效率硅基微显示器件端子区域打开方法，其可避免使用光刻工艺，缩短工艺制程，有效减少生产成本及提升良率。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：

该高效率硅基微显示器件端子区域打开方法，包括以下步骤：

步骤一、PET胶带贴合：在完成前段工艺后，在PAD区域贴合上PET胶带；

步骤二、封装作业：将贴合完PET胶带的片子进行OLED及薄膜封装作业；

步骤三、PET胶带去除：对已进行OLED及薄膜封装的片子进行PET胶带去除，使得PAD区域裸露出来；

步骤四、清洗：对步骤三硅片进行清洗，完成端子区域打开工艺。

其中，

所述PET胶带为耐高温的PET高温胶带。

所述PET胶带贴合完成后，胶带端部从基板伸出。

所述封装作业中形成封装层，封装层采用Al2O3TiO2+SiN层。

所述PET胶带去除采用撕掉方式去除。

所述PET高温胶带需耐温性需求230℃，4h无残胶。

所述PET高温胶带的厚度需求0.04mm、粘度为6N、宽度为2mm。

所述PET高温胶带的伸长率为25-35％；温度使用范围-10℃～230℃。

本发明与现有技术相比，具有以下优点：