[发明专利]像素补偿电路及其使用方法

说明书

本发明公开了像素补偿电路及其使用方法，包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管、电容和OLED器件组成的7T1C像素补偿电路，在与OLED器件的正极直接相连的第四场效应晶体管的栅极和源极之间并联有电容，利用电容的耦合效应，配合调整补偿电路中各个场效应晶体管的开关状态变化，得到场效应晶体管的阈值电压，合理控制电路中个节点的电位大小，使得流经OLED器件的电流不受第四场效应晶体管的阈值电压漂移以及OLED器件本身电性恶化的影响，提供给OLED器件稳定的电流输出，保证其工作状态稳定，达到均匀的显示效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及像素补偿电路及其使用方法。

背景技术

近年来，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由于其自发光、高响应速度、广视角、高对比度、低功耗、轻薄、耐高低温及可柔性等特性，广泛地应用于智能手机、电视、移动可穿戴设备和微显示器上。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两种。PMOLED单纯的以阴极和阳极构成矩阵状，以扫描方式点亮阵列中的像素。每个像素都是操作在脉冲模式下，为瞬间高亮度发光，结构简单、可有效降低制造成本，但驱动电压高，不适用于大尺寸和高解析度的面板。而AMOLED则是采用独立的薄膜场效应晶体管去控制每个像素，每个像素皆可独立且连续发光，驱动电压低且发光组件寿命长，可应用于大尺寸和高解析度的面板。因此，AMOLED的驱动是OLED显示技术的关键。

目前AMOLED存在一些问题。例如，由于低温多晶硅和金属氧化薄膜场效应晶体管的工艺制程的影响，不同位置的薄膜场效应晶体管阈值电压的不均匀性，造成OLED器件的电流差异和亮度差异，并被人眼感知，即显示器亮度不均匀。而且，OLED本身的亮度也会随着点亮时间的增加逐渐衰减，也会影响显示面板的显示效果。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供像素补偿电路及其使用方法，使得OLED显示面板达到显示均匀的效果。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

像素补偿电路，包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管、电容和OLED器件；

所述第一场效应晶体管的漏极与所述第二场效应晶体管的漏极相连且用于外接电源电压，所述第一场效应晶体管的源极同时与所述第三场效应晶体管的漏极和所述第四场效应管的漏极相连；

所述第二场效应晶体管的源极同时与所述第三场效应晶体管的源极、所述第四场效应晶体管的栅极和所述电容的一端相连，所述第二场效应管的栅极与所述第五场效应晶体管的栅极相连且用于外接前一扫描驱动信号；

所述第四场效应晶体管的源极同时与所述第六场效应晶体管的漏极和所述第七场效应晶体管的源极相连，所述第六场效应晶体管的源极同时与所述OLED器件的正极、所述电容的另一端和所述第五场效应晶体管的源极相连；

所述第一场效应晶体管的栅极和所述第六场效应晶体管的栅极均用于接入发光使能信号，所述第三场效应晶体管的栅极和所述第七场效应晶体管的栅极用于接入当前扫描驱动信号，所述第七场效应晶体管的漏极用于接入数据电压，所述第五场效应晶体管的漏极用于接入基准电压，所述OLED器件的负极接地。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一技术方案为：

像素补偿电路的使用方法，应用于上述的像素补偿电路，包括如下步骤：