[发明专利]像素补偿电路及其使用方法

权利要求书

1.像素补偿电路，其特征在于，包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管、电容和OLED器件；

所述第一场效应晶体管的漏极与所述第二场效应晶体管的漏极相连且用于外接电源电压，所述第一场效应晶体管的源极同时与所述第三场效应晶体管的漏极和所述第四场效应管的漏极相连；

所述第二场效应晶体管的源极同时与所述第三场效应晶体管的源极、所述第四场效应晶体管的栅极和所述电容的一端相连，所述第二场效应管的栅极与所述第五场效应晶体管的栅极相连且用于外接前一扫描驱动信号；

所述第四场效应晶体管的源极同时与所述第六场效应晶体管的漏极和所述第七场效应晶体管的源极相连，所述第六场效应晶体管的源极同时与所述OLED器件的正极、所述电容的另一端和所述第五场效应晶体管的源极相连；

所述第一场效应晶体管的栅极和所述第六场效应晶体管的栅极均用于接入发光使能信号，所述第二场效应晶体管的栅极和所述第七场效应晶体管的栅极用于接入当前扫描驱动信号，所述第七场效应晶体管的漏极用于接入数据电压，所述第五场效应晶体管的漏极用于接入基准电压，所述OLED器件的负极接地。

2.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第一场效应晶体管、所述第二场效应晶体管、所述第三场效应晶体管、所述第四场效应晶体管、所述第五场效应晶体管、所述第六场效应晶体管和所述第七场效应晶体管均为N沟道型场效应管。

3.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管和第七场效应晶体管均为薄膜场效应晶体管。

4.像素补偿电路的使用方法，应用于权利要求1-3任一所述的像素补偿电路，其特征在于，包括如下步骤：

S1、打开第二场效应晶体管和第五场效应晶体管，关闭第一场效应晶体管、第三场效应晶体管、第六场效应晶体管和第七场效应晶体管，保持基准电压为低电平，对电容进行充电，检测电容与第四场效应管的栅极相连的一端的电压是否等于电源电压，若是，则完成所述电容的两端的电位复位，执行步骤S2，否则再次进行检测；

S2、打开所述第三场效应晶体管和所述第七场效应晶体管，关闭所述第二场效应晶体管和所述第五场效应晶体管，对所述电容进行放电，检测所述第四场效应晶体管是否关闭，若是，则执行步骤S3，否则再次进行检测；

S3、打开所述第一场效应晶体管和所述第六场效应晶体管，关闭所述第三场效应晶体管和第七场效应晶体管，使得OLED器件处于发光阶段，利用所述电容的耦合效应，完成对所述OLED器件的补偿。

5.根据权利要求4所述的像素补偿电路的使用方法，其特征在于，所述步骤S3之前还包括：

S31、在预设时间内关闭所述第一场效应晶体管、所述第二场效应晶体管、所述第三场效应晶体管、所述第四场效应晶体管、所述第五场效应晶体管、所述第六场效应晶体管和所述第七场效应晶体管；

所述步骤S3具体为：

S3、在所述预设时间之后打开所述第一场效应晶体管和所述第六场效应晶体管，使得OLED器件处于发光阶段，利用所述电容的耦合效应，完成对所述OLED器件的补偿。

6.根据权利要求4所述的像素补偿电路的使用方法，其特征在于，前一扫描驱动信号在步骤S1为高电平，在其余步骤为低电平；

当前扫描驱动信号在步骤S2为高电平，在其余步骤为低电平；

发光使能信号在步骤S3为高电平，在其余步骤为低电平。

7.根据权利要求5所述的像素补偿电路的使用方法，其特征在于，所述预设时间大于场效应晶体管的开关时间。

8.根据权利要求4所述的像素补偿电路的使用方法，其特征在于，所述步骤S2之中，所述第四场效应晶体管的栅源极电压差为所述第四场效应晶体管的阈值电压；

所述步骤S3之中，所述第四场效应晶体管的栅源极电压差为数据电压与所述阈值电压之和减去所述基准电压的差值。