[发明专利]一种闪存存储器字线驱动电路

权利要求书

1.一种闪存存储器字线驱动电路，包括：

第一行地址选择信号驱动电路，用于在某行被选中时将行地址选择信号经逻辑电路处理后产生的行译码输出控制信号转换为能够驱动字线的高压信号；

字线选择开关，用于在所述行地址选择信号驱动电路输出的高压信号的控制下将读输出电压VPOS_RD接通至该选中行的字线以读取该选中行的信息；

第二行地址选择信号驱动电路，用于在某行未被选中时将行地址选择信号经逻辑电路处理后产生的行译码输出控制信号低电平转换为高电平以将该未被选中行的字线接地。

2.如权利要求1所述的一种闪存存储器字线驱动电路，其特征在于：所述第一行地址选择信号驱动电路包括电压转换器(I1)和第二反相器(I2)，所述行译码输出控制信号连接至所述电压转换器(I1)的输入端和第二行地址选择信号驱动电路，所述电压转换器(I1)的输出连接至第二反相器(I2)的输入端，第二反相器(I2)的输出连接至所述字线选择开关，所述电压转换器(I1)和第二反相器(I2)的电源负端接地。

3.如权利要求2所述的一种闪存存储器字线驱动电路，其特征在于：所述字线选择开关包括PMOS驱动管(PM1)和NMOS驱动管(NM1)，所述第二反相器(I2)的输出连接至所述PMOS驱动管(PM1)的栅极，所述PMOS驱动管(PM1)的源极和衬底连接至所述读输出电压VPOS_RD，所述NMOS驱动管(NM1)的栅极连接所述第二行地址选择信号驱动电路，所述NMOS驱动管(NM1)的源极和衬底接地，所述PMOS驱动管(PM1)的漏极与NMOS驱动管(NM1)的相连后连接至字线WL。

4.如权利要求3所述的一种闪存存储器字线驱动电路，其特征在于：所述第二行地址选择信号驱动电路包括第三反相器(I3)，所述第三反相器(I3)的输入端连接所述行译码输出控制信号，其输出连接至所述NMOS驱动管(NM1)的栅极，NMOS驱动管(NM1)的源极和衬底接地，所述第三反相器(I3)的电源正端连接电压VDD，电源负端接地。

5.如权利要求4所述的一种闪存存储器字线驱动电路，其特征在于：当所述闪存存储器进行读操作时，对于选中行的字线驱动电路，所述行译码输出控制信号由低电平“0”变为高电平“1”，经过所述电压转换器(I1)处理，其输出电压由VSS升高为读输出电压VPOS_RD，所述第二反相器(I2)的输出电压由读输出电压VPOS_RD变为VSS，使所述PMOS驱动管(PM1)打开，字线WL的电压从VSS升高至读输出电压VPOS_RD。

6.如权利要求5所述的一种闪存存储器字线驱动电路，其特征在于：对于非选中行的字线驱动电路，所述行译码输出控制信号一直为低电平“0”，经过所述电压转换器(I1)，所述电压转换器(I1)的输出电压为VSS，所述第二反相器(I2)的输出为读输出电压VPOS_RD，控制所述PMOS驱动管(PM1)关闭，所述行译码输出控制信号经过第三反相器(I3)产生的反信号电压为VDD，控制所述NMOS驱动管(NM1)打开，字线WL的电压为VSS。