[发明专利]陶瓷电子元件及其制造方法

说明书

本发明提供一种陶瓷电子元件，其包括层叠结构，该层叠结构包括电介质层和内部电极层，内部电极层交替地露出于层叠芯片的彼此5相对的两个端面。侧边缘的第一稀土元素的离子半径小于电容部的第一稀土元素的离子半径。侧边缘的第一稀土元素是当向侧边缘添加仅一种稀土元素时的该稀土元素，或者是当向侧边缘添加多种稀土元素时的量最大的稀土元素。电容部的第一稀土元素是当向电容部添加仅一种稀土元素时的该稀土元素，或者是当向电容部添加多种稀土元素10时的量最大的稀土元素。

发明领域

本发明某些方面涉及陶瓷电子元件及其制造方法。

背景技术

诸如层叠陶瓷电容器的陶瓷电子器件具有其中内部电极层通过电介质层而层叠的电容部和内部电极层的侧边缘保护侧部(例如，参见日本专利申请公开第2012-209539号)。例如，将共同的稀土元素添加到电容部和侧边缘。因此，由于添加有稀土元素，烧结工序中各元素的不均匀分布得到抑制，并且可靠性得以提高(例如，参见日本专利申请公开第2017-011172号)。

发明内容

然而，在层叠密度大的陶瓷电子器件中，电容部中的烧结速度比侧边缘中的烧结速度要大。例如，这是因为在电容部中粘合剂的去除受到延迟，并且在烧结工序中，电容部中的气氛比在侧边缘中还原性更强。当侧边缘的烧结受到延迟时，不能促进侧边缘的致密化。因此，诸如寿命特性或高温下的耐湿性之类的可靠性会下降。

本发明的目的在于提供一种能够提高可靠性的陶瓷电子元件及其制造方法。

根据实施方式的第一方面，提供一种陶瓷电子元件，其包括：层叠结构，其具有大致长方体的形状，并且包括交替地层叠的电介质层和内部电极层，电介质层主要由陶瓷构成，内部电极层交替地露出于层叠芯片的彼此相对的两个端面，其中侧边缘的第一稀土元素的离子半径小于电容部的第一稀土元素的离子半径，其中侧边缘的第一稀土元素是当向侧边缘添加仅一种稀土元素时的该稀土元素，或者是当向侧边缘添加多种稀土元素时的量最大的稀土元素，其中电容部的第一稀土元素是当向电容部添加仅一种稀土元素时的该稀土元素，或者是当向电容部添加多种稀土元素时的量最大的稀土元素，其中侧边缘是覆盖内部电极层朝向除两个端面之外的两个侧面延伸的边缘部的部分，其中电容部是露出于层叠结构的不同端面的内部电极层彼此相对的部分。

根据实施方式的第二方面，提供一种制造陶瓷电子元件的方法，该方法包括：制备陶瓷层叠结构，该陶瓷层叠结构包括层叠部分和侧边缘部分，层叠部分具有以下结构：其中包括主要成分为陶瓷的颗粒的片材和金属导电膏图案交替地层叠，使得金属导电膏交替地露出于层叠部分的两个端面，侧边缘部分设置在层叠部分的两个侧面上；和烧制陶瓷层叠结构，其中侧边缘部分的第一稀土元素的离子半径小于层叠部分的第一稀土元素的离子半径，其中侧边缘部分的第一稀土元素是当向侧边缘部分添加仅一种稀土元素时的该稀土元素，或者是当向侧边缘部分添加多种稀土元素时的量最大的稀土元素，其中层叠部分的第一稀土元素是当向层叠部分添加仅一种稀土元素时的该稀土元素，或者是当向层叠部分添加多种稀土元素时的量最大的稀土元素。

附图说明

图1是层叠陶瓷电容器的局部剖面透视图；

图2是沿图1的A-A线截取的剖视图；

图3是沿图1的B-B线截取的剖视图；

图4A是侧边缘的剖面放大图，图4B是端边缘的截面的放大图；

图5示出电容部和侧边缘部的稀土元素的浓度；

图6示出电容部和侧边缘部的稀土元素的浓度；

图7示出电容部和侧边缘部的稀土元素的浓度；

图8是层叠陶瓷电容器的制造方法的流程图。

图9A和图9B示出层叠工序；

图10示出层叠工序；和

图11示出层叠工序。