[发明专利]陶瓷电子元件及其制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷电子元件，包括：

层叠结构，其具有大致长方体的形状，并且包括交替地层叠的电介质层和内部电极层，所述电介质层主要由陶瓷构成，所述内部电极层交替地露出于所述层叠结构的彼此相对的两个端面，

其中侧边缘的第一稀土元素的离子半径小于电容部的第一稀土元素的离子半径，

其中所述侧边缘的第一稀土元素是当向侧边缘添加仅一种稀土元素时的该稀土元素，或者是当向侧边缘添加多种稀土元素时的量最大的稀土元素，

其中所述电容部的第一稀土元素是当向电容部添加仅一种稀土元素时的该稀土元素，或者是当向电容部添加多种稀土元素时的量最大的稀土元素，

其中所述侧边缘是覆盖所述内部电极层朝向除两个端面之外的两个侧面延伸的边缘部的部分，

其中所述电容部是露出于所述层叠结构的不同端面的内部电极层彼此相对的部分。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电子元件，其中比率(所述电容部的第一稀土元素的离子半径):(所述侧边缘的第一稀土元素的离子半径)为1:0.999以下。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子元件，其中在所述侧边缘中，所述侧边缘的第一稀土元素的量相对于所述侧边缘的B位元素的量的比率为0.001以上且0.05以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷电子元件，其中所述侧边缘的第一稀土元素为Er、Yb或Lu，

其中所述电容部的第一稀土元素为Dy或Ho。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷电子元件，其中所述侧边缘的第一稀土元素为Tb、Dy、Ho、Y、Er、Yb或Lu，

其中所述电容部的第一稀土元素为Eu。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的陶瓷电子元件，其中所述电介质层的主要成分陶瓷为钛酸钡。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的陶瓷电子元件，其还包括：

覆盖层，其设置在所述层叠结构的层叠方向上的顶面和底面中的至少一个上，

其中所述覆盖层的第一稀土元素的离子半径小于所述电容部的第一稀土元素的离子半径，并且

其中所述覆盖层的第一稀土元素是当向覆盖层添加仅一种稀土元素时的该稀土元素，或者是当向覆盖层添加多种稀土元素时的量最大的稀土元素。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷电子元件，其中所述侧边缘的第一稀土元素为Y，

其中所述电容部的第一稀土元素为Dy。

9.一种制造陶瓷电子元件的方法，所述方法包括：

制备陶瓷层叠结构，所述陶瓷层叠结构包括层叠部分和侧边缘部分，所述层叠部分具有以下结构：其中包括主要成分为陶瓷的颗粒的片材和金属导电膏图案交替地层叠，使得所述金属导电膏交替地露出于所述层叠部分的两个端面，所述侧边缘部分设置在所述层叠部分的两个侧面上；和

烧制所述陶瓷层叠结构，

其中所述侧边缘部分的第一稀土元素的离子半径小于所述层叠部分的第一稀土元素的离子半径，

其中所述侧边缘部分的第一稀土元素是当向侧边缘部分添加仅一种稀土元素时的该稀土元素，或者是当向侧边缘部分添加多种稀土元素时的量最大的稀土元素，并且

其中所述层叠部分的第一稀土元素是当向层叠部分添加仅一种稀土元素时的该稀土元素，或者是当向层叠部分添加多种稀土元素时的量最大的稀土元素。