[发明专利]光微影系统控制方法、其设备及非暂时性计算机可读取媒体在审
申请号: | 202110203702.X | 申请日: | 2021-02-23 |
公开(公告)号: | CN113391523A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 郑定亚;张汉龙;单师涵;陈立锐;苏彦硕 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光微影 系统 控制 方法 设备 暂时性 计算机 读取 媒体 | ||
揭示了一种光微影系统控制方法、其设备及非暂时性计算机可读取媒体,控制极紫外光微影系统的方法包括:利用EUV辐射照射目标液滴,侦测目标液滴反射的EUV辐射,决定侦测到的EUV辐射像差,决定对应于像差的泽尼克多项式,以及执行校正动作以减少泽尼克多项式的泽尼克系数的偏移。
技术领域
本揭露是有关于一种光微影系统控制方法、其设备及非暂时性计算机可读取媒体。
背景技术
半导体制造中用于微影的辐射波长已自紫外光降至深紫外光(deepultraviolet;DUV),且最近已降至极紫外光(extreme ultraviolet;EUV)。部件尺寸的进一步减小需要进一步改良微影的解析度,此可使用极紫外光微影术(extreme ultravioletlithography;EUVL)来实现。EUVL使用具有约1-100nm的波长的辐射。
产生EUV辐射的一种方法是激光产生电浆(laser-produced plasma;LPP)。在基于LPP的EUV光源中,高功率激光光束聚焦在诸如锡的金属的小液滴目标上,以形成高电离电浆,此高电离电浆在13.5nm处的最大峰值发射下发射EUV辐射。LPP产生的EUV辐射的强度取决于高功率激光可自液滴目标产生电浆的效率。为了提高基于LPP的EUV辐射源的效率,需要使高功率激光的脉冲与液滴目标的产生及运动精确同步。
发明内容
一种控制极紫外光(EUV)微影系统的方法,方法包含以下步骤:利用激光辐射照射目标液滴;侦测目标液滴反射的激光辐射;决定侦测到的激光辐射的像差;决定对应于像差的泽尼克多项式以及执行校正动作以减少泽尼克多项式的泽尼克系数中的至少一者的偏移。
一种用于极紫外光(EUV)微影的设备,包含:液滴产生器、EUV辐射源以及最终聚焦模块。液滴产生器产生多个目标液滴。EUV辐射源产生EUV辐射。EUV辐射源还包括激发辐射源。来自激发辐射源的激发辐射与目标液滴互动。最终聚焦模块用以:侦测目标液滴反射的激发辐射、决定侦测到的激发辐射的像差、产生泽尼克多项式、决定对应于此像差且来自于此泽尼克多项式的另外的一或多个泽尼克多项式以及执行校正动作以减少泽尼克多项式的泽尼克系数中的至少一者的偏移。
一种非暂时性计算机可读取媒体包含储存在记忆体中的多个计算机可读取指令。当由计算机的处理器执行时,计算机可读取指令指示计算机控制极紫外光(EUV)微影设备的最终聚焦模块以执行极紫外光(EUV)微影系统的控制方法。方法包含:侦测目标液滴反射的激发辐射;决定侦测到的激发辐射的像差;产生泽尼克多项式;决定对应于像差的来自泽尼克多项式的一或多个泽尼克多项式;决定泽尼克多项式的多个泽尼克系数中的至少一者的偏移以及基于泽尼克系数的偏移,侦测激发辐射的光束轮廓的变化。
附图说明
当结合随附附图阅读时,将自下文的详细描述最佳地理解本揭露。要强调的是,根据工业中的标准实务,并未按比例绘制各特征,且各特征仅用于说明目的。事实上,为了论述清楚,可任意增加或减小各特征的尺寸。
图1是根据本揭露的一些实施例的具有基于激光产生电浆(LPP)的EUV辐射源的EUV微影系统的示意图;
图2A、图2B、图2C、图2D、图2E及图2F分别示意性图示目标液滴通过预脉冲在X-Z及X-Y平面中的运动;
图3示意性图示根据实施例的在图1所示的EUV微影系统中使用的激光引导光学元件及聚焦设备;
图4图示按径向度垂直排序及按方位频率水平排序的前15个泽尼克多项式;
图5图示图1所示的EUV微影系统的示例性示意图;
图6是指示根据本揭露的实施例的通过使用返回光束诊断器的量测决定的第四泽尼克多项式的系数变化的图表;
图7图示根据本揭露的实施例的图5所示的EUV微影系统中的信号流;
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