[发明专利]振膜、传感器芯片和传感器

说明书

本发明公开一种振膜、传感器芯片和传感器。其中，所述振膜具有呈夹角设置的第一方向和第二方向，所述振膜设有第一负泊松比胞元结构，所述第一负泊松比胞元结构被配置为当所述第一方向受力拉伸时，所述第二方向发生膨胀，或者当所述第一方向受力缩聚时，所述第二方向发生收缩。本发明技术方案的振膜能够避免因高压冲击而破损，确保产品的性能。

技术领域

本发明涉及传感设备技术领域，特别涉及一种振膜、传感器芯片和传感器。

背景技术

相关技术中的振膜，例如声音传感器、压力传感器中使用的振膜，其在使用过程中，当受到较高的声压或者瞬时高压的冲击时，振膜容易因高压的冲击而出现应力集中，从而导致振膜破损，影响产品的性能。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种振膜，旨在能够避免因高压冲击而破损，确保产品的性能。

为实现上述目的，本发明提出的振膜，所述振膜具有呈夹角设置的第一方向和第二方向，所述振膜设有第一负泊松比胞元结构，所述第一负泊松比胞元结构被配置为当所述第一方向受力拉伸时，所述第二方向发生膨胀，或者当所述第一方向受力缩聚时，所述第二方向发生收缩。

可选地，所述第一负泊松比胞元结构包括至少一第一切缝结构和至少一第二切缝结构，一所述第一切缝结构与一所述第二切缝结构相交设置。

可选地，一所述第一切缝结构与一所述第二切缝结构垂直相交设置。

可选地，所述第一切缝结构和所述第二切缝结构的交点位于所述第一切缝结构的中部或者端部。

可选地，所述第一切缝结构和所述第二切缝结构在所述振膜的厚度方向上贯穿设置。

可选地，所述第一负泊松比胞元结构的数量为多个，多个所述第一负泊松比胞元结构呈环形阵列设置于所述振膜。

可选地，所述振膜还设有与所述第一负泊松比胞元结构间隔设置的第二负泊松比胞元结构，所述第二负泊松比胞元结构包括至少一第三切缝结构和至少一所述第四切缝结构，一所述第三切缝结构与一所述第四切缝结构相交设置，并且在所述振膜的厚度方向上非贯穿设置。

可选地，所述第二负泊松比胞元结构的数量为多个，多个所述第二负泊松比胞元结构呈环形阵列设置于所述振膜。

可选地，所述第二负泊松比胞元结构的数量为多个，多个所述第二负泊松比超材料沿所述振膜的周向连续设置，并形成为环形结构。

可选地，所述振膜包括振膜本体和折纹结构，所述第一负泊松比胞元结构设于所述振膜本体，所述折纹结构连接于所述振膜本体。

可选地，所述折纹结构上设有所述第一负泊松比胞元结构。

可选地，所述第一切缝结构和所述第二切缝结构在所述折纹结构的厚度方向上非贯穿设置。

可选地，所述振膜还开设有多个泄气结构，多个所述泄气结构与所述第一负泊松比胞元结构相间隔地设置，多个所述泄气结构沿所述振膜的周向环绕设置。

本发明还提出一种传感器芯片，包括如上述所述的振膜。

本发明还提出一种传感器，包括上述所述的传感器芯片。

本发明技术方案的振膜，通过设置第一负泊松比胞元结构，因此当振膜受到高压冲击时，即，在振膜的第一方向受到拉伸或者缩聚时，此时振膜的第二方向相应的发生膨胀或者收缩，从而形成负泊松比效应，由此将振膜第一方向上的应力分散至第二方向上，避免在同一方向上形变而产生应力集中，进而有效避免了振膜因高压冲击而破损的现象，确保了产品的性能。

附图说明