[发明专利]振膜、传感器芯片和传感器有效
| 申请号： | 202110203363.5 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN112995859B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 张辽原;刘松;邱冠勋 | 申请（专利权）人： | 歌尔微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R7/04 | 分类号： | H04R7/04 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 梁馨怡 |
| 地址： | 266100 山东省青岛市崂*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 振膜 传感器 芯片 | ||
1.一种振膜，其特征在于，所述振膜具有呈夹角设置的第一方向和第二方向，所述振膜设有第一负泊松比胞元结构，所述第一负泊松比胞元结构被配置为当所述第一方向受力拉伸时，所述第二方向发生膨胀，或者当所述第一方向受力缩聚时，所述第二方向发生收缩；
所述振膜还开设有多个泄气结构，多个所述泄气结构与所述第一负泊松比胞元结构相间隔地设置，两个所述泄气结构之间设置有一个所述第一负泊松比胞元结构，所述振膜包括振膜本体和折纹结构，所述第一负泊松比胞元结构设于所述振膜本体，所述折纹结构连接于所述振膜本体；
多个所述泄气结构沿所述振膜的周向环绕设置于所述振膜本体的外边缘，所述泄气结构、所述第一负泊松比胞元结构以及所述折纹结构在所述振膜主体上由外向内依次排列设置。
2.如权利要求1所述的振膜，其特征在于，所述第一负泊松比胞元结构包括至少一第一切缝结构和至少一第二切缝结构，一所述第一切缝结构与一所述第二切缝结构相交设置。
3.如权利要求2所述的振膜，其特征在于，一所述第一切缝结构与一所述第二切缝结构垂直相交设置；
且/或，所述第一切缝结构和所述第二切缝结构的交点位于所述第一切缝结构的中部或者端部。
4.如权利要求2所述的振膜，其特征在于，所述第一切缝结构和所述第二切缝结构在所述振膜的厚度方向上贯穿设置。
5.如权利要求4所述的振膜，其特征在于，所述第一负泊松比胞元结构的数量为多个，多个所述第一负泊松比胞元结构呈环形阵列设置于所述振膜。
6.如权利要求4所述的振膜，其特征在于，所述振膜还设有与所述第一负泊松比胞元结构间隔设置的第二负泊松比胞元结构，所述第二负泊松比胞元结构包括至少一第三切缝结构和至少一所述第四切缝结构，一所述第三切缝结构与一所述第四切缝结构相交设置，并且在所述振膜的厚度方向上非贯穿设置。
7.如权利要求6所述的振膜，其特征在于，所述第二负泊松比胞元结构的数量为多个，多个所述第二负泊松比胞元结构呈环形阵列设置于所述振膜。
8.如权利要求6所述的振膜，其特征在于，所述第二负泊松比胞元结构的数量为多个，多个所述第二负泊松比超材料沿所述振膜的周向连续设置，并形成为环形结构。
9.如权利要求4所述的振膜，其特征在于，所述折纹结构上设有所述第一负泊松比胞元结构。
10.如权利要求9所述的振膜，其特征在于，所述第一切缝结构和所述第二切缝结构在所述折纹结构的厚度方向上非贯穿设置。
11.一种传感器芯片，其特征在于，包括如权利要求1至10中任意一项所述的振膜。
12.一种传感器，其特征在于，包括如权利要求11所述的传感器芯片。
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