[发明专利]电池组输出控制电路

权利要求书

1.电池组输出控制电路，其特征在于，包括AFE模块(1)、高边MOS驱动控制模块(2)、MCU主控模块(3)和DC-DC转换模块(4)，

所述AFE模块(1)与所述MCU主控模块(3)通讯连接；所述AFE模块(1)的输出端与所述高边MOS驱动控制模块(2)的输入端连接；

所述高边MOS驱动控制模块(2)连接在电池组的正极上；所述MCU主控模块(3)的输出端与所述高边MOS驱动控制模块(2)的输入端连接；

所述MCU主控模块(3)的输出端与所述DC-DC转换模块(4)的输入端连接；

高边MOS驱动控制模块(2)包括芯片U2、场效应管QD1和场效应管QD2，所述芯片U2与所述AFE模块(1)相连接，所述芯片U2的DSG引脚与所述场效应管QD1的栅极相连，所述场效应管QD1的漏极与电池组的正极B+相连，所述场效应管QD1的源极与所述场效应管QD2的漏极相连，所述场效应管QD2的源极与电池组输出的正极P+相连，芯片U2的DSG引脚通过电阻R201与场效应管Q7的源极相连接，场效应管Q7的漏极连接电阻R110的一端，电阻R110的另一端与场效应管QD2的栅极相连；

所述MCU主控模块(3)包括芯片U3，所述芯片U3的PB12引脚输出12V_EN使能信号，所述芯片U3的PB5引脚输出12V_FAULT信号，所述芯片U3的PB13引脚输出6V_EN使能信号，所述芯片U3的PB4引脚输出6V_FAULT信号，所述芯片U3的PB14引脚输出5V_EN使能信号，所述芯片U3的PB3引脚输出5V_FAULT信号；芯片U3的PA0引脚通过电阻R182连接场效应管Q27的栅极，电阻R181一端连接场效应管Q27的源极，另外一端连接场效应管Q27的栅极，场效应管Q27的漏极通过电阻R176连接场效应管Q7的栅极，场效应管Q7的栅极与源极之间连接有电阻R180；

所述DC-DC转换模块(4)包括芯片U4、场效应管Q3、电阻R2、电阻R3、场效应管Q4、电阻R1、电阻R4、芯片U5、场效应管Q20、电阻R6、电阻R7、场效应管Q22、电阻R9、电阻R5、芯片U6、场效应管Q23、电阻R17、电阻R21、场效应管Q24、电阻R36和电阻R10，

所述芯片U4的输入端VIN连接所述场效应管QD1的源极，所述芯片U4的信号输入端FAULT连接芯片U3的PB5引脚，所述芯片U4的输出端VOUT连接所述场效应管Q3的源极，所述电阻R2的一端连接所述场效应管Q3的源极，另外一端连接所述场效应管Q3的栅极，所述场效应管Q3的漏极作为12V直流电源输出端VOUT_12V，所述场效应管Q3的栅极通过所述电阻R3与所述场效应管Q4的漏极相连，所述电阻R4的一端连接所述芯片U3的PB12引脚，所述电阻R4的另外一端连接所述场效应管Q4的栅极，所述电阻R1一端连接所述场效应管Q4的源极，另外一端连接所述场效应管Q4的栅极，所述场效应管Q4的源极连接电池组输出的负极P-；

所述芯片U5的输入端VIN连接所述场效应管QD1的源极，所述芯片U5的信号输入端FAULT连接芯片U3的PB4引脚，所述芯片U5的输出端VOUT连接所述场效应管Q20的源极，所述电阻R6一端连接所述场效应管Q20的源极，另外一端连接所述场效应管Q20的栅极，所述场效应管Q20的漏极作为6V直流电源输出端VOUT_6V，所述场效应管Q20的栅极通过所述电阻R7与所述场效应管Q22的漏极相连，所述电阻R9的一端连接所述芯片U3的PB13引脚，所述电阻R9的另外一端连接所述场效应管Q22的栅极，所述电阻R5一端连接所述场效应管Q22的源极，另外一端连接所述场效应管Q22的栅极，所述场效应管Q22的源极连接电池组输出的负极P-；

所述芯片U6的输入端VIN连接所述芯片U4的输出端VOUT，所述芯片U6的信号输入端FAULT连接芯片U3的PB3引脚，所述芯片U6的输出端VOUT连接所述场效应管Q23的源极，所述电阻R17一端连接所述场效应管Q23的源极，另外一端连接所述场效应管Q23的栅极，所述场效应管Q23的漏极作为5V直流电源输出端VOUT_5V，所述场效应管Q23的栅极通过所述电阻R21与所述场效应管Q24的漏极相连，所述电阻R36的一端连接所述芯片U3的PB14引脚，所述电阻R36的另外一端连接所述场效应管Q24的栅极，所述电阻R10一端连接所述场效应管Q24的源极，另外一端连接所述场效应管Q24的栅极，所述场效应管Q24的源极连接电池组输出的负极P-。