[发明专利]一种透射电镜的检验方法

说明书

本申请实施例公开了一种透射电镜的检验方法，所述方法包括：提供一单晶硅样品；校准透射电镜的第一放大倍率，第一放大倍率大于预设放大倍率；形成位于单晶硅样品上的多个沟道孔；在小于第一放大倍率的多个第二放大倍率下，通过椭圆拟合测量各个第二放大倍率下多个沟道孔中至少三个目标沟道孔的孔间距；将多个第二放大倍率中最高第二放大倍率下的孔间距记为第一孔间距；将多个第二放大倍率中除最高第二放大倍率以外的其他第二放大倍率下的孔间距记为第二孔间距；根据第一孔间距和第二孔间距，计算第二孔间距对应的第二放大倍率的第一准确度；通过第一准确度与标准阈值，对第一准确度对应的第二放大倍率进行检验。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种透射电镜的检验方法。

背景技术

透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope，TEM)是一种广泛应用于半导体结构测试的仪器，简称为“透射电镜”。透射电镜是把经加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与样品中的原子碰撞而改变方向，从而产生立体角散射。散射角的大小与样品的密度、厚度相关，因此可以形成明暗不同的影像，影像将在放大、聚焦后在成像器件上显示出来。

集成电路内部的大量半导体结构的关键尺寸都在纳米级，因此，半导体结构关键尺寸信息的获得需要依赖于透射电子显微镜图像，因此，透射电子显微镜图像成像质量的好坏就直接决定了半导体结构量测结果的准确度和精确度。在透射电镜的使用过程中，受样品质量、加速电压、电流稳定性的影响，会引起透射电镜图像的畸变或出现透射电镜放大倍率的偏差。因此，需要定期对透射电镜进行检验。

但是，当前并没有有效的方法对不同倍率下的透射电镜进行检验。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种透射电镜的检验方法。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种透射电镜的检验方法，所述方法包括：

提供一单晶硅样品；

校准所述透射电镜的第一放大倍率，所述第一放大倍率大于预设放大倍率；

形成位于所述单晶硅样品上的多个沟道孔；

在小于所述第一放大倍率的多个第二放大倍率下，通过椭圆拟合测量各个第二放大倍率下所述多个沟道孔中至少三个目标沟道孔的孔间距；

将所述多个第二放大倍率中最高第二放大倍率下的孔间距记为第一孔间距；

将所述多个第二放大倍率中除所述最高第二放大倍率以外的其他第二放大倍率下的孔间距记为第二孔间距；

根据所述第一孔间距和所述第二孔间距，计算所述第二孔间距对应的第二放大倍率的第一准确度；

通过所述第一准确度与标准阈值，对所述第一准确度对应的第二放大倍率进行检验。

在一种可选的实施方式中，所述通过椭圆拟合测量各个第二放大倍率下所述多个沟道孔中至少三个目标沟道孔的孔间距，包括：

采集各个第二放大倍率下的透射电镜图像；所述透射电镜图像上包括至少三个目标沟道孔；

识别所述目标沟道孔的多个边界点，获得所述多个边界点对应的多个边界坐标；根据所述多个边界坐标进行椭圆拟合，并获得所述多个第二放大倍率中的每个第二放大倍率下所述至少三个目标沟道孔中每两个目标沟道孔之间的孔间距。

在一种可选的实施方式中，所述根据所述第一孔间距和所述第二孔间距，计算所述第二孔间距对应的第二放大倍率的第一准确度，包括：

计算所述第二孔间距和所述第一孔间距的差值，将所述差值除以所述第一孔间距，得到所述第二孔间距对应的第二放大倍率的第一准确度。