[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；

于所述衬底上形成多个间隔分布的第一阻挡结构，相邻所述第一阻挡结构之间具有暴露所述衬底的第一沟槽结构；

形成初始介质层，所述初始介质层填充满所述第一沟槽结构；

去除部分所述初始介质层，以形成介质层，所述介质层具有第二沟槽结构，所述第二沟槽结构暴露部分所述第一阻挡结构；其中，形成所述第一阻挡结构的材料的致密度大于形成所述介质层的材料的致密度；

形成第二阻挡层，所述第二阻挡层覆盖所述介质层的上表面、所述第二沟槽结构的底部和所述第二沟槽结构的侧壁，在沿所述第二沟槽结构的径向方向上，所述第一阻挡结构的宽度小于或者等于所述第二阻挡层的宽度；形成导电层，所述导电层填充满所述第二沟槽结构，所述第一阻挡结构用于避免所述导电层中的导电粒子自所述第二沟槽结构的角落处的扩散。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底上形成多个间隔分布的第一阻挡结构的步骤包括：

于所述衬底上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层覆盖所述衬底；

于所述第一阻挡层上形成介电层，所述介电层具有第三沟槽结构，且所述第三沟槽结构在所述衬底上的投影与所述第一沟槽结构在所述衬底上的投影重合；

以所述介电层为掩模版刻蚀所述第一阻挡层；

去除所述介电层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述第一阻挡层上形成介电层的具体步骤包括：

于所述第一阻挡层上形成初始掩膜层，所述初始掩膜层覆盖所述第一阻挡层；

图形化所述初始掩膜层，形成掩膜层，所述掩膜层具有第四沟槽结构；

形成初始介电层，所述初始介电层至少覆盖所述第四沟槽结构的底部及侧壁；

去除所述掩膜层和部分所述初始介电层，保留覆盖所述第四沟槽结构侧壁的所述初始介电层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成初始介电层，所述初始介电层至少覆盖所述第四沟槽结构的底部及侧壁包括：采用原子层沉积法形成所述初始介电层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成所述第一阻挡结构的材料的介电常数大于形成所述介质层的材料的介电常数。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成所述第一阻挡结构的材料为氮化硅，形成所述介质层的材料为氧化硅。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成所述第二阻挡层的材料包括氮化钛。

8.根据权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

所述介质层覆盖所述第一阻挡结构的上表面。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

第一阻挡结构，所述第一阻挡结构间隔分布于所述衬底上，且相邻所述第一阻挡结构之间具有暴露所述衬底的第一沟槽结构；

介质层，所述介质层至少填充满部分所述第一沟槽结构，所述介质层具有第二沟槽结构且所述第二沟槽结构暴露部分所述第一阻挡结构；其中，形成所述第一阻挡结构的材料的致密度大于形成所述介质层的材料的致密度；

导电层，所述导电层填充满所述第二沟槽结构，所述第一阻挡结构用于避免所述导电层中的导电粒子自所述第二沟槽结构的角落处的扩散；

第二阻挡层，所述第二阻挡层位于所述介质层和所述导电层之间且所述第二阻挡层覆盖所述介质层的上表面、所述第二沟槽结构的底部和所述第二沟槽结构的侧壁，在沿所述第二沟槽结构的径向方向上，所述第一阻挡结构的宽度小于或者等于所述第二阻挡层的宽度。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，形成所述第一阻挡结构的材料的介电常数大于形成所述介质层的材料的介电常数。