[发明专利]绘制装置和绘制方法在审
| 申请号： | 202110200405.X | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113363179A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 三根阳介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绘制 装置 方法 | ||
本发明提供一种绘制装置和绘制方法。实施方式的绘制装置包括绘制部和维护部。绘制部从多个释放头对沿运送方向移动的工件释放功能液，来对工件进行绘制。维护部具有在沿运送方向移动到绘制部的下方的状态下进行多个释放头的检查的检查部。根据本发明，能够减小绘制装置的装置面积。
技术领域
本发明涉及绘制装置和绘制方法。
背景技术
专利文献1公开了对被运送来的基片以喷墨方式涂敷涂敷液的液滴的技术
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-49805号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明提供一种减小绘制装置的装置面积的技术。
用于解决问题的方式
本发明的一个方式的绘制装置包括绘制部和维护部。绘制部从多个释放头对沿运送方向移动的工件释放功能液，来对工件进行绘制。维护部具有在沿运送方向移动到绘制部的下方的状态下进行多个释放头的检查的检查部。
发明效果
根据本发明，能够减小绘制装置的装置面积。
附图说明
图1A是表示实施方式的绘制装置的概略结构的俯视图。
图1B是表示实施方式的绘制装置的概略结构的侧视图。
图2是表示实施方式的绘制部的一部的概略结构的俯视图。
图3是表示实施方式的维护部的概略的俯视图。
图4是表示实施方式的测量部的概略的俯视图。
图5是表示实施方式的防风部的概略的俯视图。
图6是表示实施方式的各吸引部移动到吸引位置的状态的概略图。
图7是说明在实施方式的维护部中执行擦拭处理时的擦拭部的动作的概略图。
图8是说明实施方式的吸引处理和擦拭处理的流程图。
图9是表示实施方式的各吸引部移动到覆盖位置的状态的概略图。
图10是表示在实施方式的维护部中，各测量部从测量位置开始移动的状态的概略图。
图11是说明实施方式的重量测量处理的流程图。
附图标记说明
1 绘制装置
3 绘制台
6 维护部
7 绘制状态检测部
8 闪喷部
9 控制装置
32 绘制部
32a 承载器
32b 释放头
60 吸引部
60a 盖
61 擦拭部
62 检查部
63 测量部
63a 天秤部
64 防风部
65 吸引喷嘴
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
