[发明专利]三维相变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维相变存储器，其特征在于，包括：

底部相变存储单元、顶部相变存储单元和至少一层中间相变存储单元；以及位于所述底部相变存储单元下方的底部地址线、位于所述顶部相变存储单元上方的顶部地址线和位于所述底部相变存储单元与所述顶部相变存储单元之间的至少两层中间地址线，每一层所述中间相变存储单元位于每相邻两层中间地址线之间；其中，

每一层所述中间地址线的厚度相等，所述底部地址线与所述顶部地址线的厚度小于所述中间地址线的厚度；

所述底部相变存储单元包括由下至上叠置的底部第一选通层、底部相变存储层和底部第二选通层，所述底部第二选通层的厚度大于所述底部第一选通层的厚度；和/或，

所述顶部相变存储单元包括由下至上叠置的顶部第一选通层、顶部相变存储层和顶部第二选通层，所述顶部第二选通层的厚度小于所述顶部第一选通层的厚度。

2.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于，当所述底部相变存储单元包括由下至上叠置的底部第一选通层、底部相变存储层和底部第二选通层：

所述底部第一选通层的热导率系数大于所述底部第二选通层的热导率系数。

3.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于，当所述顶部相变存储单元包括由下至上叠置的顶部第一选通层、顶部相变存储层和顶部第二选通层：

所述顶部第二选通层的热导率系数大于所述顶部第一选通层的热导率系数。

4.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于：

所述中间相变存储单元包括由下至上叠置的中间第一选通层、中间相变存储层和中间第二选通层；所述中间第一选通层的厚度与所述中间第二选通层的厚度相等，所述中间第一选通层的热导率系数与所述中间第二选通层的热导率系数相等。

5.一种三维相变存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

形成底部地址线；

形成位于所述底部地址线上方的底部相变存储单元；

形成位于所述底部相变存储单元上的至少两层中间地址线以及位于每相邻两层中间地址线之间的中间相变存储单元；

形成位于最顶层中间地址线上的顶部相变存储单元以及位于所述顶部相变存储单元上的顶部地址线；其中，

每一层所述中间地址线的厚度相等，所述底部地址线与所述顶部地址线的厚度小于所述中间地址线的厚度；

所述底部相变存储单元包括由下至上叠置的底部第一选通层、底部相变存储层和底部第二选通层，所述底部第二选通层的厚度大于所述底部第一选通层的厚度；和/或，

所述顶部相变存储单元包括由下至上叠置的顶部第一选通层、顶部相变存储层和顶部第二选通层，所述顶部第二选通层的厚度小于所述顶部第一选通层的厚度。

6.根据权利要求5所述的三维相变存储器的制备方法，其特征在于，当所述底部相变存储单元包括由下至上叠置的底部第一选通层、底部相变存储层和底部第二选通层：

所述底部第一选通层的热导率系数大于所述底部第二选通层的热导率系数。

7.根据权利要求5所述的三维相变存储器的制备方法，其特征在于，当所述顶部相变存储单元包括由下至上叠置的顶部第一选通层、顶部相变存储层和顶部第二选通层：

所述顶部第二选通层的热导率系数大于所述顶部第一选通层的热导率系数。

8.根据权利要求5所述的三维相变存储器的制备方法，其特征在于：

所述中间相变存储单元包括由下至上叠置的中间第一选通层、中间相变存储层和中间第二选通层，所述中间第一选通层的厚度与所述中间第二选通层的厚度相等，所述中间第一选通层的热导率系数与所述中间第二选通层的热导率系数相等。