[发明专利]具有不同图形密度端的图形结构的OPC修正方法

说明书

本发明公开了一种具有不同图形密度端的图形结构的OPC修正方法，包括：步骤一、找出版图上具有不同图形密度端的图形结构，图形结构具有第一密集端和孤立端。步骤二、对图形结构的图形进行改变使图形结构的孤立端改变为第二密集端。步骤三、添加切割层图形，切割层图形用于将第二密集端中位于孤立端之外的添加图形切除。步骤四、分别对完成步骤二的图形结构和对切割层图形进行OPC修正。本发明能降低具有不同图形密度端的图形结构的图形尺寸控制难度并从而提高各图形尺寸的一致性。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种具有不同图形密度端的图形结构的光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction，OPC)方法。

背景技术

随着半导体工艺的不断发展，设计版图的集成度越来越高，关键尺寸越来越小，对关键层的尺寸控制要求也变得越来越严格。而由于版图的复杂性，不同结构环境下的图形在光刻及刻蚀后所需的补偿量不尽相同，为了保证尺寸控制的准确性，需要搜集大量不同尺寸间距的图形光刻及刻蚀后的尺寸值，通过OPC对其进行尺寸补偿。

而在实际版图中，通常会存在由长线条图形组成的图形结构如中段连接层(MD)中的图形结构，这种图形结构的长线条图形会由于长短不一而不能对齐，会使得长线条图形的一端处于密集型(dense)图形分布区域中，而另一端则处于孤立(iso)图形分布区域中，也即图形结构会同时具有密集端和孤立端，密集端和孤立端的图形分布密度不同，各图形的线宽和间距的和的大小不一，位于密集端和孤立端的图形的尺寸控制较难，通过尺寸补偿往往也很难确保该类图形尺寸的一致性，特别是图形从dense图形分布区域向iso图形分布区域过渡的区域中的图形尺寸控制成为一个难点。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种具有不同图形密度端的图形结构的OPC修正方法，能降低具有不同图形密度端的图形结构的图形尺寸控制难度并从而提高各图形尺寸的一致性。

为解决上述技术问题，本发明提供的具有不同图形密度端的图形结构的OPC修正方法包括如下步骤：

步骤一、找出版图上具有不同图形密度端的图形结构，所述图形结构具有第一密集端和孤立端，所述第一密集端具有密集型图形分布，所述孤立端具有孤立图形分布。

步骤二、对所述图形结构的图形进行改变使所述图形结构的孤立端改变为第二密集端，所述第二密集端具有密集型图形分布。

步骤三、添加切割层图形，所述切割层图形用于将所述第二密集端中位于所述孤立端之外的添加图形切除。

步骤四、分别对完成步骤二的所述图形结构和对所述切割层图形进行OPC修正。

进一步的改进是，步骤一中的所述图形结构中的图形为线条图形。

进一步的改进是，所述密集型图形分布的图形分布密度大于所述孤立图形分布的图形分布密度。

进一步的改进是，所述图形结构中的各所述线条图形平行排列。

进一步的改进是，所述图形结构中的各所述线条图形的长度不一致。

进一步的改进是，所述密集型图形分布的所述图形的线宽和间距和小于5倍线宽。

所述孤立图形分布的所述图形的线宽和间距和大于等于8倍线宽。

进一步的改进是，所述孤立端中具有邻近的所述第一密集端，所述第二密集端由所述孤立端邻近的所述第一密集端中的所述图形延伸而成。

进一步的改进是，和所述孤立端邻近的所述第一密集端和所述孤立端之间的距离小于7倍线宽。

进一步的改进是，所述孤立端位于邻近的所述第一密集端的所述图形的宽度边外部。