[发明专利]存储装置及其操作方法

说明书

本技术涉及一种电子装置。更特别地，本技术涉及一种存储装置及其操作方法。根据实施例的存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；外围电路，被配置为执行编程操作；编程验证器，被配置为当完成编程操作时计算差值，差值中的每一个是编程状态中各自的编程状态的第一通过循环计数和第二通过循环计数之间的差值，并且根据是否差值中的至少一个超过参考值来输出通过状态或失败状态。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年6月9日提交的申请号为10-2020-0069433的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及一种电子装置，且更特别地，涉及一种存储装置及其操作方法。

背景技术

存储装置在主机装置的控制下存储数据。该存储装置可以包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的存储器控制器。该存储器装置可以是易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

易失性存储器装置仅当从电源接收到电力时存储数据。当切断该电源时，在易失性存储器装置中存储的数据可能丢失。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。

在非易失性存储器装置中，所存储的数据即使在未供电的状态下也不会丢失。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程存储器(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器等。

发明内容

本公开的实施例提供一种能够防止读取失败的存储装置及其操作方法。

根据本公开的实施例的存储器装置可以包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；外围电路，被配置为执行编程操作，该编程操作增加多个存储器单元的阈值电压使得该多个存储器单元的阈值电压被包括在根据编程状态的电压大小而分开的多个编程状态中的任意一个中；循环计数存储装置，被配置为分别存储针对多个编程状态的第一通过循环计数和第二通过循环计数，在执行编程操作的同时确定编程状态；以及编程验证器，被配置为当编程操作完成时，计算差值，差值中的每一个是编程状态中相应一个编程状态的第一通过循环计数和第二通过循环计数之间的差值，并且根据是否差值中的至少一个超过参考值来输出编程操作的结果，该编程操作的结果指示通过状态或失败状态。

根据本公开的另一实施例的操作存储器装置的方法可以包括：执行编程操作，该编程操作增加多个存储器单元的阈值电压使得存储器单元阵列中的多个存储器单元的阈值电压被包括在根据编程状态的电压大小而分开的多个编程状态中的任意一个中；分别存储针对多个编程状态的第一通过循环计数和第二通过循环计数，在执行编程操作的同时确定编程状态；当编程操作完成时，计算差值，差值中的每一个是编程状态中相应一个编程状态的第一通过循环计数和第二通过循环计数之间的差值，并且根据是否差值中的至少一个超过参考值来确定编程操作通过还是失败。

根据本公开的实施例的存储器装置可以包括：多个存储器单元；外围电路，被配置为执行编程操作，该编程操作增加多个存储器单元的阈值电压使得该多个存储器单元的阈值电压被包括在根据编程状态的电压大小而分开的多个编程状态中的任意一个中；以及控制逻辑，被配置为根据最初感测到已通过分别对应于多个编程状态的验证操作的存储器单元的编程循环与完成对多个编程状态中的每一个的验证的编程循环之间的差异是否超过参考值来确定编程操作是否通过。