[发明专利]基板处理系统及装置、切换定时制作辅助装置及方法在审
申请号: | 202110191901.3 | 申请日: | 2021-02-19 |
公开(公告)号: | CN113327849A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 秋元健司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 装置 切换 定时 制作 辅助 方法 | ||
本发明提供一种基板处理系统及装置、切换定时制作辅助装置及方法,可提高处理的切换定时的精度。基板处理系统具备基板处理装置和具备获取部、选定部、决定部以及输出部的切换定时制作辅助装置。使基板处理装置基于制程来执行对基板的处理,获取部从在处理的执行期间针对基板处理装置内的气体中包含的包括原子和分子的粒子的每个性质测定气体中包含的粒子的量的测定器获取粒子的量的测定值。选定部在粒子的性质之中按照粒子的量的随时间的变化量从大到小的顺序选定预先确定的数量的粒子的性质。决定部基于选定出的粒子的每个性质的粒子的量的随时间的变化,来决定用于判定切换定时的运算式和切换条件。输出部向基板处理装置输出运算式和切换条件。
技术领域
本公开的各种方面和实施方式涉及一种基板处理系统、切换定时制作辅助装置、切换定时制作辅助方法以及基板处理装置。
背景技术
在半导体装置的制造工序中,对基板进行成膜、蚀刻等各种处理。另外,在具有多层膜的基板的蚀刻中,有时针对每层膜的蚀刻气体、压力等处理条件不同。因此,在某层的蚀刻结束了的情况下,需要切换处理条件来对其下层的膜进行蚀刻。但是,在对基板进行处理的期间,难以确认基板的状态。因此,根据收容有基板的腔室内的气体的成分的变化来估计蚀刻的进展程度,进行处理条件的切换。
专利文献1:日本特开平7-50289号公报
发明内容
本公开提供一种能够提高处理的切换定时的精度的基板处理系统、切换定时制作辅助装置、切换定时制作辅助方法以及基板处理装置。
本公开的一个方面是一种基板处理系统,具备:基板处理装置,其基于记述有多个处理的各处理的处理条件的制程来执行基板的处理;以及切换定时制作辅助装置,其辅助制作针对基板进行的处理的切换定时。切换定时制作辅助装置具备获取部、选定部、决定部以及输出部。基板处理装置基于制程来执行对基板的处理,获取部从在处理的执行期间针对基板处理装置内的气体中包含的包括原子和分子的粒子的每个性质测定气体中包含的粒子的量的测定器获取粒子的量的测定值。选定部在粒子的性质之中按照粒子的量的随时间的变化量从大到小的顺序选定预先确定的数量的粒子的性质。决定部基于选定出的粒子的每个性质的粒子的量的随时间的变化,来决定用于判定切换定时的运算式和切换条件。输出部向基板处理装置输出运算式和切换条件。基板处理装置具有执行部、计算部以及指示部。执行部基于制程来执行对基板的处理。计算部基于由测定器针对运算式中包括的粒子的每个性质测定出的粒子的量来计算运算式的值。指示部在运算式的值满足切换条件的情况下向执行部指示处理的切换。
根据本公开的各种方面和实施方式,能够提高处理的切换定时的精度。
附图说明
图1是表示本公开的一个实施方式中的基板处理系统的一例的系统结构图。
图2是表示第一实施方式中的基板处理装置的一例的概要截面图。
图3是表示控制装置的功能结构的一例的框图。
图4是表示第一实施方式中的测定器的一例的框图。
图5是表示辅助装置的功能结构的一例的框图。
图6是表示第一实施方式中的辅助装置的处理的一例的流程图。
图7A是表示蚀刻前的基板W的一例的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造