[发明专利]发光芯片和激光器

说明书

本申请公开了一种发光芯片和激光器，属于光电技术领域。所述发光芯片包括：沿第一方向依次叠加的第一电极、芯片主体、绝缘层和第二电极，芯片主体至少包括沿第一方向依次叠加的第一限制层、有源层和第二限制层；芯片主体分为发光部和非发光部，在第一电极上发光部的正投影与有源层中发光区的正投影重合，非发光部的正投影与有源层中非发光区的正投影重合；非发光部中靠近第二电极的一侧设置有沟槽，且沟槽位于非发光部中靠近发光部的一端，沟槽的延伸方向相交于发光部与非发光部的排列方向，沟槽的深度方向平行于第一方向。本申请解决了发光芯片的发光效果较差的问题。本申请用于进行激光发射。

技术领域

本申请涉及光电技术领域，特别涉及一种发光芯片和激光器。

背景技术

随着光电技术的发展，激光器的使用越来越广泛，对于激光器的发光效果的要求也越来越高。

相关技术中，激光器包括多个发光芯片。图1是相关技术提供的一种发光芯片的结构示意图。如图1所示，发光芯片10可以包括：沿第一方向(如图中的y方向)依次叠加的第一电极101、基底(substrate)1020、第一限制层1021、第一波导层1022、有源层1023、第二波导层1024、第二限制层1025、绝缘层103和第二电极104，如该第一限制层1021为N型半导体层，该第二限制层1025为P型半导体层。该第一电极101和第二电极104可以向发光芯片注入电流，进而N型半导体层中的空穴与P型半导体中的电子均注入有源层1023，且在有源层1023中复合成光子。当有源层1023中有足够多的光子能量辐射，有源层1023的发光区的电流密度达到一定高度时，有源层1023的发光区可以连续稳定地发出激光。

但是，相关技术中发光芯片的电流注入效率较低，有源层的发光区的电流密度较低，进而导致发光芯片的发光效果较差。

发明内容

本申请提供了一种发光芯片和激光器，可以解决发光芯片的发光效果较差的问题。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种发光芯片，所述发光芯片包括：沿第一方向依次叠加的第一电极、芯片主体、绝缘层和第二电极，所述芯片主体至少包括沿所述第一方向依次叠加的第一限制层、有源层和第二限制层；

所述芯片主体分为发光部和非发光部，在所述第一电极上所述发光部的正投影与所述有源层中发光区的正投影重合，所述非发光部的正投影与所述有源层中非发光区的正投影重合；所述绝缘层覆盖所述非发光部，所述第二电极覆盖所述发光部与所述绝缘层，所述第一电极与所述第二电极用于为所述发光部加载电压，使所述第二电极向所述发光部注入电流，以激发所述发光区发出激光；

所述非发光部中靠近所述第二电极的一侧设置有沟槽，且所述沟槽位于所述非发光部中靠近所述发光部的一端，所述沟槽的延伸方向相交于所述发光部与所述非发光部的排列方向，所述沟槽的深度方向平行于所述第一方向

另一方面，提供了一种激光器，所述激光器包括：管壳以及阵列排布于所述管壳中的多个发光芯片，所述发光芯片包括上述的发光芯片。

本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

本申请提供的发光芯片中，芯片主体中的非发光部中靠近第二电极的一侧设置有沟槽，且该沟槽位于非发光部中靠近发光部的一端，该沟槽的延伸方向相交于发光部与非发光部的排列方向，沟槽的深度方向平行于第一方向。如此第二电极在向发光部注入电流后，该沟槽可以阻挡电流向非发光部中沟槽远离发光部的一侧扩散。因此，电流可以更集中地注入发光部，发光部中的电流密度较高，发光芯片的发光效果较好。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术提供的一种发光芯片的结构示意图；