[发明专利]发光芯片和激光器

权利要求书

1.一种发光芯片，其特征在于，所述发光芯片包括：沿第一方向依次叠加的第一电极、芯片主体、绝缘层和第二电极，所述芯片主体至少包括沿所述第一方向依次叠加的第一限制层、有源层和第二限制层；

所述芯片主体分为发光部和非发光部，在所述第一电极上所述发光部的正投影与所述有源层中发光区的正投影重合，所述非发光部的正投影与所述有源层中非发光区的正投影重合；所述绝缘层覆盖所述非发光部，所述第二电极覆盖所述发光部与所述绝缘层，所述第一电极与所述第二电极用于为所述发光部加载电压，使所述第二电极向所述发光部注入电流，以激发所述发光区发出激光；

所述非发光部中靠近所述第二电极的一侧设置有沟槽，且所述沟槽位于所述非发光部中靠近所述发光部的一端，所述沟槽的延伸方向相交于所述发光部与所述非发光部的排列方向，所述沟槽的深度方向平行于所述第一方向。

2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述芯片主体包括位于发光部两侧的非发光部，每个所述非发光部中靠近所述发光部的一端均设置有所述沟槽。

3.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述沟槽的延伸方向垂直于所述发光部与所述非发光部的排列方向。

4.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述非发光部呈条形，所述沟槽为沿所述非发光部的长度方向贯穿所述非发光部的通槽。

5.根据权利要求1至4任一所述的发光芯片，其特征在于，所述芯片主体还包括：基底、第一波导层和第二波导层，所述基底、所述第一限制层、所述第一波导层、所述有源层、所述第二波导层和所述第二限制层沿所述第一方向依次叠加；

在所述第一方向上，所述沟槽贯穿所述第二限制层、所述第二波导层和所述有源层。

6.根据权利要求1至4任一所述的发光芯片，其特征在于，所述绝缘层具有沟槽，所述绝缘层中的沟槽与所述非发光部中的沟槽连通。

7.根据权利要求1至4任一所述的发光芯片，其特征在于，所述沟槽与所述发光部的距离范围为10微米～20微米。

8.根据权利要求1至4任一所述的发光芯片，其特征在于，所述沟槽的宽度范围为10微米～20微米。

9.根据权利要求1至4任一所述的发光芯片，其特征在于，所述沟槽的深度范围为20微米～50微米。

10.一种激光器，其特征在于，所述激光器包括：管壳以及阵列排布于所述管壳中的多个发光芯片，所述发光芯片包括权利要求1至9任一所述的发光芯片。