[发明专利]偏移状态检测方法及偏移状态检测装置

说明书

本发明提供一种偏移状态检测方法及偏移状态检测装置，其中，偏移状态检测方法用于检测晶片相对于工艺腔室内的承载部件的偏移状态，包括：在当前工艺结束后，基于传输部件将晶片从工艺腔室中传出；在传输部件将晶片传输至后续工艺腔室的过程中，基于后续工艺腔室对应的检测组件，获取晶片的实际位置相对于传输部件上预设位置的偏移量；根据预设的偏移量和偏移状态的对应关系，确定晶片相对于承载部件的偏移状态。本发明提供的偏移状态检测方法及偏移状态检测装置能够对晶片与工艺腔室内的承载部件的容纳结构是否搭接进行检测，降低半导体设备的成本和故障率。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，具体地，涉及一种偏移状态检测方法及偏移状态检测装置。

背景技术

在硅外延工艺腔室中，承载硅片的基座上通常设置有容纳硅片的片槽，片槽的直径通常比硅片的直径大2mm-3mm，在硅外延工艺中，硅片最佳的工艺位置是硅片的轴线与片槽的轴线重合。而由于例如机械手传输硅片的传输误差或者基座在硅外延工艺腔室中的位置误差等因素，会导致硅片在硅外延工艺中难以位于最佳的工艺，甚至会导致硅片的部分位于片槽之外搭接在片槽上，而硅片搭接在片槽上又会造成硅外延工艺后的外延片不合格。而对于硅片搭接在片槽上的情况，目前尚未存在有效的解决办法。因此，能否检测出硅片在硅外延工艺中搭接在片槽上，防止出现搭接情况的硅片流向下游，成为提升半导体设备性能指标的一项重要技术。

现有技术中对硅片是否搭接在片槽上的检测，通常是在硅外延工艺腔室中单独设置检测装置，该检测装置通过检测硅片在硅外延工艺腔室中与片槽的相对位置关系，判断硅片是否搭接在片槽上。由于此种检测方式需要在硅外延工艺腔室中单独设置检测装置，因此，需要对硅外延工艺腔室的内部结构进行改造，而这就使得硅外延工艺腔室中例如温度场等工艺环境受到破坏，并且也使得半导体设备的成本增加。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种偏移状态检测方法及偏移状态检测装置，其能够对晶片与工艺腔室内的承载部件的容纳结构是否搭接进行检测，降低半导体设备的成本和故障率。

为实现本发明的目的而提供一种偏移状态检测方法，用于检测晶片相对于工艺腔室内的承载部件的偏移状态，包括：

在当前工艺结束后，基于传输部件将所述晶片从所述工艺腔室中传出；

在所述传输部件将所述晶片传输至后续工艺腔室的过程中，基于所述后续工艺腔室对应的检测组件，获取所述晶片的实际位置相对于所述传输部件上预设位置的偏移量；

根据预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系，确定所述晶片相对于所述承载部件的偏移状态。

优选的，所述基于所述后续工艺腔室对应的检测组件，获取所述晶片的实际位置相对于所述传输部件上预设位置的偏移量，包括：

获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第一方向上的第一方向偏移量，并获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第二方向上的第二方向偏移量，其中，所述第一方向与所述第二方向交叉；

根据所述第一方向偏移量和所述第二方向偏移量，计算所述偏移量。

优选的，所述第一方向与所述第二方向垂直，根据以下公式计算所述偏移量：

其中，j为所述偏移量，m为所述第一方向偏移量，n为所述第二方向偏移量。

优选的，所述预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系包括多个偏移量取值区间及多个偏移状态等级，所述多个偏移量取值区间与所述多个偏移状态等级一一对应，所述根据预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系，确定所述晶片相对于所述承载部件的偏移状态，包括：

根据所述偏移量确定其所属的偏移量取值区间；

将该偏移量取值区间对应的偏移状态等级确定为所述偏移状态。