[发明专利]偏移状态检测方法及偏移状态检测装置

权利要求书

1.一种偏移状态检测方法，用于检测晶片相对于工艺腔室内的承载部件的偏移状态，其特征在于，包括：

在当前工艺结束后，基于传输部件将所述晶片从所述工艺腔室中传出；

在所述传输部件将所述晶片传输至后续工艺腔室的过程中，基于所述后续工艺腔室对应的检测组件，获取所述晶片的实际位置相对于所述传输部件上预设位置的偏移量；

根据预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系，确定所述晶片相对于所述承载部件的偏移状态。

2.根据权利要求1所述的偏移状态检测方法，其特征在于，所述基于所述后续工艺腔室对应的检测组件，获取所述晶片的实际位置相对于所述传输部件上预设位置的偏移量，包括：

获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第一方向上的第一方向偏移量，并获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第二方向上的第二方向偏移量，其中，所述第一方向与所述第二方向交叉；

根据所述第一方向偏移量和所述第二方向偏移量，计算所述偏移量。

3.根据权利要求2所述的偏移状态检测方法，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直，根据以下公式计算所述偏移量：

其中，j为所述偏移量，m为所述第一方向偏移量，n为所述第二方向偏移量。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的偏移状态检测方法，所述预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系包括多个偏移量取值区间及多个偏移状态等级，所述多个偏移量取值区间与所述多个偏移状态等级一一对应，所述根据预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系，确定所述晶片相对于所述承载部件的偏移状态，包括：

根据所述偏移量确定其所属的偏移量取值区间；

将该偏移量取值区间对应的偏移状态等级确定为所述偏移状态。

5.根据权利要求4所述的偏移状态检测方法，其特征在于，还包括：

在确定的偏移状态等级大于预设的第一偏移状态等级阈值时，发出报警；

在确定的偏移状态等级大于预设的第二偏移状态等级阈值时，发出报警并停止工艺；

其中，所述第二偏移状态等级阈值大于所述第一偏移状态等级阈值。

6.根据权利要求4所述的偏移状态检测方法，其特征在于，通过以下步骤获取所述预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系：

依次将所述晶片置于所述承载部件上对应于所述多个偏移状态等级的位置处，通过所述传输部件将所述晶片从所述工艺腔室中传出，依次获取所述多个偏移状态等级对应的偏移量值；

将所述多个偏移状态等级对应的偏移量值作为端点，确定所述多个偏移量取值区间；

在所述多个偏移量取值区间与所述多个偏移状态等级之间建立一一对应的关系。

7.一种偏移状态检测装置，设置于半导体工艺设备中，用于检测晶片相对于工艺腔室内的承载部件的偏移状态，其特征在于，包括：

传输模块，用于在当前工艺结束后，基于传输部件将所述晶片从所述工艺腔室中传出；

获取模块，用于在所述传输部件将所述晶片传输至后续工艺腔室的过程中，基于所述后续工艺腔室对应的检测组件，获取所述晶片的实际位置相对于所述传输部件上预设位置的偏移量；

确定模块，用于根据预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系，判断所述晶片相对于所述承载部件的偏移状态。

8.根据权利要求7所述的偏移状态检测装置，其特征在于，所述获取模块包括：

获取单元，用于获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第一方向上的第一方向偏移量，并获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第二方向上的第二方向偏移量，其中，所述第一方向与所述第二方向交叉；

计算单元，用于根据所述第一方向偏移量和所述第二方向偏移量，计算所述偏移量。