[发明专利]多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法

说明书

本发明关于多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法。本发明的一形态的多带电粒子束描绘装置具备：可移动的台，供基板配置；发射数据生成部，生成多带电粒子束的各发射的发射数据；移位量计算部，至少基于与第k+1次(k是自然数)以后所照射的多带电粒子束的发射有关的参数，计算用于将第k次的发射的多带电粒子束整体一起进行位置修正的移位量；以及描绘机构，具有将多带电粒子束偏转的偏转器，上述描绘机构一边根据该移位量将第k次的发射的多带电粒子束整体通过一起偏转而移位，一边使用多带电粒子束对基板进行上述第k次的发射。

技术领域

本发明涉及多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法，例如涉及将在多束描绘装置的基板面上发生的束阵列的位置偏差修正的方法。

背景技术

担负半导体设备的微细化的发展的光刻技术在半导体制造工艺之中也是生成唯一图案的很重要的工艺。近年来，伴随LSI的高集成化，半导体设备所要求的电路线宽逐年被微细化。这里，电子线(电子束)描绘技术本质上具有优良的解析力，进行对晶片等使用电子线而描绘的处理。

例如，有使用多束的描绘装置。与用1条电子束进行描绘的情况相比，通过使用多束，由于能够一次照射较多的束，所以能够使生产量大幅提高。在该多束方式的描绘装置中，例如使从电子枪释放的电子束穿过拥有多个孔的掩模而形成多束，分别被消隐(blanking)控制，没有被遮蔽的各束被用光学系统缩小，通过偏转器偏转，并向试样上的希望的位置照射。

这里，在多束描绘中，将各个束的照射量通过照射时间而单独地控制。为了高精度地控制这样的各束的照射量，需要将进行束的接通/断开(ON/OFF)的消隐控制以高速进行。在多束方式的描绘装置中，在配置有多束的各消隐器(blanker)的消隐孔径阵列(blankingaperture array)机构中搭载各束用的消隐控制电路。

这里，在消隐孔径阵列机构中，由于构成各消隐器的电极的布线及控制电路与各束接近，所以由在这些布线或控制电路中流动的电流产生的磁场有可能给束的轨道带来影响。由此，各束在基板面上发生位置偏差。作为给束的轨道带来影响的其他因素，可以举出库仑效应及带电等(例如，参照日本特开平5－166707号公报)。作为将多束的位置偏差修正的方法，例如也可以考虑预先求出平均性的束的位置偏差量并反馈给描绘的方法。但是，这些位置偏差因素按照每次发射(shot)而变动量变化(每次发射时变动)，所以通过这样的方法难以进行各发射的修正。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够对多束描绘中变动量按照每次发射而变化的各束的位置偏差量进行减少的多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法。

本发明的一技术方案的多带电粒子束描绘装置具备：可移动的台，供基板配置；发射数据生成部，生成多带电粒子束的各发射的发射数据；移位量计算部，至少基于与第k+1次(k是自然数)以后所照射的多束的发射有关的参数，计算用于将第k次的发射的多带电粒子束整体一起进行位置修正的移位量；以及描绘机构，具有将多带电粒子束偏转的偏转器，上述描绘机构一边根据该移位量将第k次的发射的多带电粒子束整体通过一起偏转而移位，一边使用多带电粒子束对基板进行上述第k次的发射。

本发明的另一技术方案的多带电粒子束描绘装置具备：可移动的台，供基板配置；发射数据生成部，生成多带电粒子束的各发射的发射数据；移位量计算部，至少基于与第k－1次(k是自然数)以前所照射的多束的发射有关的参数，计算用于将第k次的发射的多带电粒子束整体一起进行位置修正的移位量；以及描绘机构，具有将多带电粒子束偏转的偏转器，上述描绘机构一边根据该移位量将第k次的发射的多带电粒子束整体通过一起偏转而移位，一边使用多带电粒子束对基板进行第k次的发射。

本发明的一技术方案的多带电粒子束描绘方法，生成多带电粒子束的各发射的发射数据；至少基于与第k+1次(k是自然数)以后的发射有关的参数，计算将第k次的发射的多带电粒子束整体一起进行位置修正的移位量；一边根据该移位量将第k次的发射的多带电粒子束整体通过一起偏转而移位，一边使用多带电粒子束对可移动的台上所配置的基板进行第k次的发射。