[发明专利]晶圆支撑件、半导体处理系统及其方法

说明书

一种晶圆支撑件、半导体处理系统及其方法，半导体处理系统包括晶圆支撑件和控制系统。晶圆支撑件包括多个加热元件和多个温度感测器。这些加热元件加热由支撑系统支撑的半导体晶圆。这些温度感测器生成指示温度的感测器信号。控制系统回应于这些感测器信号而选择性地控制这些加热元件。

技术领域

本揭露为关于一种晶圆支撑件、半导体处理系统及其方法，特别是关于一种用于加热半导体晶圆的晶圆支撑件、半导体处理系统及其方法。

背景技术

计算能力的持续需求一直在增加，包括智能电话、平板计算机、台式计算机、膝上型计算机和许多其他类型的电子设备在内的电子设备。集成电路为这些电子设备提供计算能力。一种增加集成电路中计算能力的方式，是增加半导体基板的给定面积，其可包括的晶体管和其他集成电路特征的数量。

为了继续减小集成电路中特征的大小，实施了各种薄膜沉积技术。这些技术可形成非常薄的膜。然而，薄膜沉积技术在确保正确形成薄膜态样亦面临严重的困难。

发明内容

于本揭露的一实施态样，一种晶圆支撑件。晶圆支撑件包括顶表面、多个加热元件的阵列、多个温度感测器的阵列、多个第一电连接器及多个第二电连接器。顶表面被配置为支撑半导体晶圆。多个加热元件的阵列定位在顶表面下方并且被配置为输出热量。多个温度感测器的阵列包括相对于每个加热元件的相应第一温度感测器，相应第一温度感测器被配置为生成多个第一感测器信号。多个第一电连接器耦合至这些加热元件并且被配置为能够选择性地控制每个加热元件。多个第二电连接器，耦合至相应第一温度感测器。

于本揭露的另一实施态样，一种半导体处理系统，包括半导体处理腔室、晶圆支撑件及控制系统。晶圆支撑件定位在半导体处理腔室中并且被配置为支撑半导体晶圆，且晶圆支撑件包括多个加热元件的阵列及多个温度感测器的阵列。每个加热元件被配置为当半导体晶圆定位在晶圆支撑件上时加热半导体晶圆。多个温度感测器的阵列包括相对于每个加热元件的相应第一温度感测器，相应第一温度感测器被配置为生成多个第一感测器信号。控制系统通讯地耦合至这些加热元件和相应第一温度感测器，并且被配置为至少部分地回应这些第一感测器信号而选择性地操作每个加热元件。

于本揭露的一个实施态样，一种半导体处理方法，包括用定位在半导体处理腔室内的晶圆支撑件支撑半导体晶圆。在半导体处理腔室内对晶圆执行半导体处理。在半导体处理期间用定位在晶圆支撑件内的多个加热元件加热半导体晶圆。使用定位在晶圆支撑件内的相应第一温度感测器生成每个加热元件的多个第一感测器信号。回应这些第一感测器信号，利用控制系统选择性地控制这些加热元件。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本揭露的各方面。应理解，根据行业中的惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚起见，各种特征的尺寸可以任意地增加或减小。

图1是根据一个实施方式的半导体处理系统的图示；

图2A是根据一个实施方式的晶圆支撑件的剖视图；

图2B是根据一个实施方式的晶圆支撑件的俯视图；

图2C是根据一个实施方式的晶圆支撑件的剖视图；

图3A是根据一个实施方式的加热元件的剖视图；

图3B是根据一个实施方式的加热元件的俯视图；

图4A是根据一个实施方式的晶圆的俯视图；

图4B是根据一个实施方式的晶圆的剖视图；

图4C是根据一个实施方式的晶圆支撑件的俯视图；

图5A是根据一个实施方式的在第一薄膜沉积制程之后的晶圆的剖视图；

图5B是根据一个实施方式的晶圆支撑件的剖视图，图示了在第二沉积制程期间选择性地激活加热元件；