[发明专利]晶圆支撑件、半导体处理系统及其方法

权利要求书

1.一种晶圆支撑件，其特征在于，包括：

一顶表面，被配置为支撑一半导体晶圆；

多个加热元件的一阵列，定位在该顶表面下方并且被配置为输出热量；

多个温度感测器的一阵列，包括相对于各该加热元件的一相应第一温度感测器，该相应第一温度感测器被配置为生成多个第一感测器信号；

多个第一电连接器，耦合至所述多个加热元件并且被配置为能够选择性地控制各该加热元件；以及

多个第二电连接器，耦合至该相应第一温度感测器。

2.如权利要求1所述的晶圆支撑件，其特征在于，各该加热元件包括一相应加热线圈。

3.如权利要求2所述的晶圆支撑件，其特征在于，所述多个温度感测器的该阵列包括相对于各该加热元件的一相应第二温度感测器，该相应第二温度感测器被配置为生成多个第二感测器信号。

4.如权利要求3所述的晶圆支撑件，其特征在于，对于各该加热元件，该相应第一温度感测器被定位在该相应第二温度感测器下方。

5.一种半导体处理系统，其特征在于，包括：

一半导体处理腔室；

一晶圆支撑件，定位在该半导体处理腔室中并且被配置为支撑一半导体晶圆，该晶圆支撑件包括：

多个加热元件的一阵列，各该加热元件被配置为当该半导体晶圆定位在该晶圆支撑件上时加热该半导体晶圆；以及

多个温度感测器的一阵列，包括相对于各该加热元件的一相应第一温度感测器，该相应第一温度感测器被配置为生成多个第一感测器信号；以及

一控制系统，该控制系统通讯地耦合至所述多个加热元件和该相应第一温度感测器，并且被配置为至少部分地回应所述多个第一感测器信号而选择性地操作各该加热元件。

6.如权利要求5所述的半导体处理系统，其特征在于，该控制系统被配置为操作所述多个加热元件以选择性地加热该半导体晶圆的一些区域多于其他区域。

7.如权利要求5所述的半导体处理系统，其特征在于，进一步包括一半导体处理设备，该半导体处理设备通讯地耦合至该控制系统并且被配置为在该半导体处理腔室内对该半导体晶圆执行一半导体处理，其中该控制系统被配置为回应所述多个第一感测器信号以调节该半导体处理设备。

8.如权利要求5所述的半导体处理系统，其特征在于，所述多个温度感测器的该阵列包括相对于各该加热元件的一相应第二温度感测器，该相应第二温度感测器被配置为生成多个第二感测器信号。

9.如权利要求5所述的半导体处理系统，其特征在于，对于各该加热元件，所述多个第一感测器信号指示所述多个加热元件的一温度，其中所述多个第二感测器信号指示所述多个加热元件上方的该半导体晶圆的一区域的一温度。

10.一种半导体处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

用定位在一半导体处理腔室内的一晶圆支撑件支撑一半导体晶圆；

在该半导体处理腔室内对该晶圆执行一半导体处理；

在该半导体处理期间用定位在该晶圆支撑件内的多个加热元件加热该半导体晶圆；

使用定位在该晶圆支撑件内的一相应第一温度感测器生成各该加热元件的多个第一感测器信号；以及

回应所述多个第一感测器信号，利用一控制系统选择性地控制所述多个加热元件。