[发明专利]在腔室中的基板上形成磊晶层的方法

说明书

本揭露描述一种在腔室中的基板上形成磊晶层的方法。此方法包含使用第一蚀刻气体清洁腔室与沉积磊晶层于基板上。磊晶层的沉积包含使用前驱物磊晶成长此磊晶层的第一部分、使用不同于第一蚀刻气体的第二蚀刻气体的冲洗来清洁基板与腔室、以及使用此前驱物磊晶成长磊晶层的第二部分。第一部分与第二部分具有相同成分。此方法还包含使用具有流率高于第二蚀刻气体的第三蚀刻气体来蚀刻磊晶层的一部分。

技术领域

本揭露实施方式是关于一种在腔室中的基板上形成磊晶层的方法。

背景技术

随着半导体科技的进步，对于较高的储存容量、较快速处理系统、较高的效能、以及更低的成本的需求持续增加。为了满足这些需求，半导体产业持续缩小半导体元件，例如包含平面式金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFETs)以及鳍式场效晶体管(finFET)的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFETs)，的尺寸。如此缩小尺寸增加了半导体制造制程的复杂度。

发明内容

本揭露提供一种在腔室中的基板上形成磊晶层的方法，包含使用第一蚀刻气体清洁腔室与沉积磊晶层于基板上。沉积磊晶层包含使用前驱物来磊晶成长磊晶层的第一部分、使用不同于第一蚀刻气体的第二蚀刻气体的冲洗来清洁基板与腔室、使用前驱物来磊晶成长磊晶层的第二部分、以及使用具有流率高于第二蚀刻气体的流率的第三蚀刻气体蚀刻磊晶层的一部分。第一部分与第二部分具有相同成分。

附图说明

下列详细的描述配合附图阅读可使本揭露的各方面获得最佳的理解。

图1是绘示依照一些实施方式的具有以优化清洁制程形成的源极/漏极(S/D)磊晶结构的半导体元件的等角视图；

图2至图4是绘示依照一些实施方式的具有以优化清洁制程形成的源极/漏极磊晶结构的半导体元件的剖面视图；

图5是依照一些实施方式的以优化清洁制程于半导体元件上制造源极/漏极磊晶结构的方法的流程图；

图6是绘示依照一些实施方式的以优化清洁制程于半导体元件上制造源极/漏极磊晶结构期间的制程温度与制程时间的关系；

图7至图14是绘示依照一些实施方式的具有以优清洁制程形成的源极/漏极磊晶结构的半导体元件在其制造的不同阶段的剖面视图。

例示的实施方式将参照所附图式进行描述。在附图中，类似的参考数字通常指相同、功能上类似、及/或结构性上类似的元件。

【符号说明】

100:半导体元件

102:基板

104:鳍状结构

106:浅沟槽隔离区

108:栅极结构

110:源极/漏极磊晶结构

110a:源极/漏极磊晶结构

110b:源极/漏极磊晶结构

110d:深度

110p:近距

111:第一磊晶层

111a:第一磊晶层

111b:第一磊晶层

112:第二磊晶层

112a:第二磊晶层

112b:第二磊晶层

112ma:合并点

112mb:合并点

113:第三磊晶层