[发明专利]在腔室中的基板上形成磊晶层的方法在审
| 申请号： | 202110184825.3 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113921468A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 摩尔·沙哈吉·B | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中的 基板上 形成 磊晶层 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在腔室中的基板上形成磊晶层的方法，其特征在于，该方法包含：
使用一第一蚀刻气体清洁该腔室；
沉积该磊晶层于该基板上，包含：
使用一前驱物磊晶成长该磊晶层的一第一部分；
使用不同于该第一蚀刻气体的一第二蚀刻气体的一冲洗清洁该基板与该腔室；以及
使用该前驱物来磊晶成长该磊晶层的一第二部分，其中该第一部分与该第二部分具有一相同成分；以及
使用一第三蚀刻气体来蚀刻该磊晶层的一部分，该第三蚀刻气体具有一流动速率高于该第二蚀刻气体的一流动速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
