[发明专利]一种外延基座

说明书

本发明公开了一种外延基座，包括边缘侧墙和片坑，所述边缘侧墙位于所述片坑的外围，所述片坑用于盛放硅片，所述片坑沿径向由外至内依次包括：支撑台，用于支撑硅片；外围区域，所述外围区域上表面不高于所述支撑台上表面；以及中心区域，所述中心区域上表面不高于所述外围区域上表面；其中，所述中心区域的曲率半径小于所述外围区域的曲率半径。根据本发明提供的外延基座，采用分段曲率设计，使中心区域的曲率半径小于所述外围区域的曲率半径，避免了硅片在载入/取出过程中撞击产生的应力和缺陷，提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种外延基座。

背景技术

硅外延生长是半导体制造中的一个重要工艺，它是在一定条件下，在硅片上生长一层合乎要求的单晶层的方法，具体包括真空外延、气相外延、液相外延等，其中应用最广泛的是气相硅外延，其反应机理是在高温下使挥发性强的硅源，比如TCS(Trichlorosilane三氯硅烷)，与氢气发生反应或热解，生成的硅原子淀积在硅片上长成外延层。

半导体硅片在外延过程中，其单晶特征在硅片高温载入/取出高温外延腔体过程中，由于重力或温度分布因素，导致最先接触基座的区域在硅片中心；因此硅片中心受冲击较大，从而产生应力或缺陷，并在后续高温过程中可能会放大，导致产品降级或报废。

因此，有必要提出一种新的外延基座，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种外延基座，包括边缘侧墙和片坑，所述边缘侧墙位于所述片坑的外围，所述片坑用于盛放硅片，所述片坑沿径向由外至内依次包括：

支撑台，用于支撑硅片；

外围区域，所述外围区域上表面不高于所述支撑台上表面；以及

中心区域，所述中心区域上表面不高于所述外围区域上表面；其中，

所述中心区域的曲率半径小于所述外围区域的曲率半径。

进一步，所述中心区域包括以所述外延基座的中心为圆心，以第一半径为半径的区域，所述第一半径的范围为片坑最大半径的2/5-2/3。

进一步，所述外围区域的曲率半径与所述中心区域的曲率半径之比大于等于4。

进一步，所述外围区域的曲率半径与所述中心区域的曲率半径之比大于等于6。

进一步，所述中心区域和所述外围区域之间还设置有连接区域，以将曲率半径不同的中心区域和外围区域光滑连接。

进一步，所述连接区域的形状为样条曲线。

进一步，所述样条曲线为圆弧。

进一步，所述连接区域与所述中心区域相切，和/或，所述连接区域与所述外围区域相切。

根据本发明提供的外延基座，采用分段曲率设计，使中心区域的曲率半径小于所述外围区域的曲率半径，避免了硅片在载入/取出过程中撞击产生的应力和缺陷，提高了产品良率。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1A-1C示出了外延基座承载硅片的状态的示意图；

图2A为根据本发明的实施例的外延基座的主视示意图；

图2B为根据本发明的实施例的外延基座的俯视示意图。