[发明专利]一种外延基座在审

专利信息
申请号: 202110184460.4 申请日: 2021-02-10
公开(公告)号: CN113035767A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 王鑫;曹共柏;林志鑫;潘帅 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L21/205
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 吴洋
地址: 201306 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 外延 基座
【权利要求书】:

1.一种外延基座,其特征在于,包括边缘侧墙和片坑,所述边缘侧墙位于所述片坑的外围,所述片坑用于盛放硅片,所述片坑沿径向由外至内依次包括:

支撑台,用于支撑硅片;

外围区域,所述外围区域上表面不高于所述支撑台上表面;以及

中心区域,所述中心区域上表面不高于所述外围区域上表面;其中,

所述中心区域的曲率半径小于所述外围区域的曲率半径。

2.如权利要求1所述的外延基座,其特征在于,所述中心区域包括以所述外延基座的中心为圆心,以第一半径为半径的区域,所述第一半径的范围为片坑最大半径的2/5-2/3。

3.如权利要求1所述的外延基座,其特征在于,所述外围区域的曲率半径与所述中心区域的曲率半径之比大于等于4。

4.如权利要求3所述的外延基座,其特征在于,所述外围区域的曲率半径与所述中心区域的曲率半径之比大于等于6。

5.如权利要求1所述的外延基座,其特征在于,所述中心区域和所述外围区域之间还设置有连接区域,以将曲率半径不同的中心区域和外围区域光滑连接。

6.如权利要求5所述的外延基座,其特征在于,所述连接区域的形状为样条曲线。

7.如权利要求6所述的外延基座,其特征在于,所述样条曲线为圆弧。

8.如权利要求6所述的外延基座,其特征在于,所述连接区域与所述中心区域相切,和/或,所述连接区域与所述外围区域相切。

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