[发明专利]一种外延基座在审
| 申请号: | 202110184460.4 | 申请日: | 2021-02-10 |
| 公开(公告)号: | CN113035767A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
| 发明(设计)人: | 王鑫;曹共柏;林志鑫;潘帅 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 吴洋 |
| 地址: | 201306 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 外延 基座 | ||
1.一种外延基座,其特征在于,包括边缘侧墙和片坑,所述边缘侧墙位于所述片坑的外围,所述片坑用于盛放硅片,所述片坑沿径向由外至内依次包括:
支撑台,用于支撑硅片;
外围区域,所述外围区域上表面不高于所述支撑台上表面;以及
中心区域,所述中心区域上表面不高于所述外围区域上表面;其中,
所述中心区域的曲率半径小于所述外围区域的曲率半径。
2.如权利要求1所述的外延基座,其特征在于,所述中心区域包括以所述外延基座的中心为圆心,以第一半径为半径的区域,所述第一半径的范围为片坑最大半径的2/5-2/3。
3.如权利要求1所述的外延基座,其特征在于,所述外围区域的曲率半径与所述中心区域的曲率半径之比大于等于4。
4.如权利要求3所述的外延基座,其特征在于,所述外围区域的曲率半径与所述中心区域的曲率半径之比大于等于6。
5.如权利要求1所述的外延基座,其特征在于,所述中心区域和所述外围区域之间还设置有连接区域,以将曲率半径不同的中心区域和外围区域光滑连接。
6.如权利要求5所述的外延基座,其特征在于,所述连接区域的形状为样条曲线。
7.如权利要求6所述的外延基座,其特征在于,所述样条曲线为圆弧。
8.如权利要求6所述的外延基座,其特征在于,所述连接区域与所述中心区域相切,和/或,所述连接区域与所述外围区域相切。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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