[发明专利]一种高趋肤深度MRI图像增强超构表面器件在审

专利信息
申请号: 202110183937.7 申请日: 2021-02-10
公开(公告)号: CN114910848A 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 赵乾;池中海;孟永钢;郑卓肇;王亚魁;易懿 申请(专利权)人: 清华大学;北京清华长庚医院
主分类号: G01R33/34 分类号: G01R33/34;G01R33/36;G01R33/38
代理公司: 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 代理人: 魏朋
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 高趋肤 深度 mri 图像 增强 表面 器件
【说明书】:

本申请涉及一种磁场增强器件。磁场增强器件包括两个平行设置的第一平板组件。第一平板组件包括在第一平面内平行间隔排布的多个磁场增强组件、第一导电片和第二导电片。每个磁场增强组件包括第一电连接端和第二电连接端。第一电连接端和第二电连接端之间连接有电容结构和电感结构。第一导电片与多个磁场增强组件的第一电连接端连接。第二导电片分别与多个磁场增强组件的第二电连接端连接。两个第一平板组件分别设置于检测部位的两侧。第一平板组件的谐振频率等于目标频率。第一平板组件与检测部位谐振,检测信号的磁场强度增加。两个第一平板组件可以分别增强靠近各自的检测部位的磁场,增加检测部位的检测维度和趋肤深度,提高检测信号的精确度。

技术领域

本申请涉及检测技术领域,特别是涉及一种磁场增强器件。

背景技术

传统MRI的射频线圈通过线圈谐振的方式采集人体反馈信号,人体反馈信号的强弱影响射频线圈采集到的信号质量,进而影响图像的信噪比和分辨率。

平面磁场增强器件在高度方向上磁场会快速衰减,导致趋肤深度较浅,难以检测到较深的部位。

发明内容

基于此,有必要针对怎样才能检测到较深的部位的问题,提供一种磁场增强器件。

一种磁场增强器件,包括两个平行设置的第一平板组件。所述第一平板组件包括多个磁场增强组件、第一导电片和第二导电片。所述多个磁场增强组件在第一平面内平行间隔排布。每个所述磁场增强组件包括第一电连接端和第二电连接端。所述第一电连接端和所述第二电连接端之间连接有电容结构和电感结构。所述第一导电片分别与所述多个磁场增强组件的所述第一电连接端连接。所述第二导电片分别与所述多个磁场增强组件的所述第二电连接端连接。所述第一平板组件的谐振频率等于目标频率。

本申请实施例提供的所述磁场增强器件,包括两个平行设置的第一平板组件。第一平板组件包括在第一平面内平行间隔排布的多个磁场增强组件、第一导电片和第二导电片。每个磁场增强组件包括第一电连接端和第二电连接端。第一电连接端和第二电连接端之间连接有电容结构和电感结构。第一导电片分别与多个磁场增强组件的第一电连接端连接。第二导电片分别与多个磁场增强组件的第二电连接端连接。两个第一平板组件分别设置于检测部位的两侧。第一平板组件的谐振频率等于目标频率。第一平板组件与检测部位谐振,检测信号的磁场强度增加。两个第一平板组件可以分别增强靠近各自的检测部位的磁场,增加检测部位的检测维度和趋肤深度,提高检测信号的精确度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例中提供的磁场增强器件的结构示意图;

图2为本申请一个实施例中提供的第一平板组件的结构爆炸图;

图3为本申请一个实施例中提供的磁场增强器件的磁场分布图;

图4为本申请另一个实施例中提供的磁场增强器件的磁场分布图;

图5为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的侧面剖视图;

图6为图5的所述磁场增强组件的俯视图;

图7为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强组件的俯视图;

图8为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强组件的俯视图;

图9为本申请一个实施例中提供的第一平板组件的结构示意图;

图10为图9的第一平板组件的结构爆炸图;

图11为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的侧面剖视图;

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