[发明专利]一种高趋肤深度MRI图像增强超构表面器件

权利要求书

1.一种磁场增强器件，其特征在于，包括两个平行设置的第一平板组件(910)，所述第一平板组件(910)包括：

多个磁场增强组件(10)，所述多个磁场增强组件(10)在同一平面内平行间隔排布，每个所述磁场增强组件(10)包括第一电连接端(911)和第二电连接端(912)，所述第一电连接端(911)和所述第二电连接端(912)之间连接有电容结构和电感结构；

第一导电片(510)，分别与所述多个磁场增强组件(10)的所述第一电连接端(911)连接；

第二导电片(520)，分别与所述多个磁场增强组件(10)的所述第二电连接端(912)连接，所述第一平板组件(910)的谐振频率等于目标频率。

2.如权利要求1所述的磁场增强器件，其特征在于，还包括：

两个所述第一平板组件(910)中的所述磁场增强组件(10)的延伸方向相同。

3.如权利要求1所述的磁场增强器件，其特征在于，靠近所述第一平板组件(910)边缘的所述磁场增强组件(10)中的电容结构的电容值大于靠近所述第一平板组件(910)中部的所述磁场增强组件(10)中的电容结构的电容值。

4.如权利要求1所述的磁场增强器件，其特征在于，还包括：

输出匹配电路(640)，所述输出匹配电路(640)与所述第一电连接端(911)连接，所述输出匹配电路(640)还用于与信号采集装置连接，所述输出匹配电路(640)用于调节所述信号采集装置的阻抗值和谐振频率。

5.如权利要求4所述的磁场增强器件，其特征在于，所述输出匹配电路(640)与所述磁场增强器件(20)中部的所述磁场增强组件(10)的连接。

6.如权利要求1所述的磁场增强器件，其特征在于，所述磁场增强组件(10)包括：

第一电介质层(100)，具有相对的第一端(103)和第二端(104)，并包括相对的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，并沿所述第一端(103)向所述第二端(104)延伸，所述第一电极层(110)包括第一子电极层(111)、第二子电极层(112)和一个第一连接层(190)，所述第一子电极层(111)和所述第二子电极层(112)的宽度相等且相对间隔设置，所述第一连接层(190)的一端与所述第一子电极层(111)连接，所述第一连接层(190)的另一端与所述第二子电极层(112)连接，所述第一连接层(190)的宽度小于所述第一子电极层(111)的宽度；

第二电极层(120)和第三电极层(130)，相对间隔设置于所述第二表面(102)，所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第一子电极层(111)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，构成第二结构电容(302)，所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第一子电极层(111)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，构成第三结构电容(303)。

7.如权利要求6所述的磁场增强器件，其特征在于，所述第一连接层(190)的宽度是所述第一子电极层(111)的宽度的1/5至1/2。

8.如权利要求6所述的磁场增强器件，其特征在于，所述第一连接层(190)的延伸方向与第一方向的夹角为锐角或钝角，所述第一方向由所述第一端(103)指向所述第二端(104)。

9.如权利要求6所述的磁场增强器件，其特征在于，所述第一连接层(190)的侧壁与所述第一子电极层(111)的侧壁的相交处设置为弧形倒角。

10.如权利要求6所述的磁场增强器件，其特征在于，还包括：

第一谐振电路(60)，所述第一谐振电路(60)的一端与所述第一子电极层(111)连接，所述第一谐振电路(60)的另一端与所述第二电极层(120)连接，所述第一谐振电路(60)用于使所述磁场增强器件(20)处于射频接收阶段时谐振，所述第一谐振电路(60)用于使所述磁场增强器件(20)处于射频发射阶段时失谐。