[发明专利]磁场增强组件以及磁场增强器件在审

专利信息
申请号: 202110183930.5 申请日: 2021-02-10
公开(公告)号: CN114910847A 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 赵乾;池中海;孟永钢;郑卓肇;王亚魁;易懿 申请(专利权)人: 清华大学;北京清华长庚医院
主分类号: G01R33/34 分类号: G01R33/34;G01R33/38
代理公司: 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 代理人: 魏朋
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 磁场 增强 组件 以及 器件
【说明书】:

本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层,具有相对设置的第一表面与第二表面。第一电极层设置于第一表面,靠近第二端设置。第二电极层设置于第二表面,靠近第一端设置。第一电极层在第一电介质层的正投影与第二电极层在第一电介质层的正投影部分重叠形成第一结构电容,第一结构电容靠近第一电介质层的中部。第三电极层设置于第二表面,靠近第二端,第三电极层与第二电极层间隔设置,第三电极层在第一电介质层的正投影位于第一电极层在第一电介质层的正投影中。第四电极层设置于第一表面,靠近第一端,第四电极层与第一电极层间隔设置。第四电极层在第一电介质层的正投影位于第二电极层在第一电介质层的投影中。

技术领域

本申请涉及磁共振成像技术领域,特别是涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。

背景技术

MRI(Magnetic Resonance Imaging,核磁共振成像技术)为非介入探测方式,是医药、生物、神经科学领域的一项重要的基础诊断技术。传统MRI设备传输的信号强度主要取决于静磁场B0的强度。提高静磁场B0的强度,采用高磁场甚至超高磁场的MRI设备可以提高MRI图像的信噪比和分辨率,并MRI的缩短扫描时间。但是,提高静磁场强度带来如下三个问题:1)射频(RF)场非均匀性增大,调谐难度增加;2)人体组织产热增加,带来安全隐患,患者还容易出现眩晕和呕吐等不良反应:3)购置成本大幅度增加,对大多数小规模医院来说是一种负担。因此,采用尽量小的静磁场强度同时,如何能够获得高质量的成像成为了MRI技术的重要问题。

超构材料的出现为MRI成像质量和效率的提高,提供了一种新颖的更有效的方法。超构材料具有许多天然材料所不具备的特殊性质。通过电磁波与超构材料的金属或电介质基元间的相互作用及基元间的耦合效应,可以实现对电磁波传播路径与电磁场场强分布的控制。但是,传统的超构材料的磁场增强装置的磁场分布均匀性和频率调节机制仍然较差,仍有待改进。

传统的超构材料磁场增强组件包括电介质板和分别位于电介质板正面和背面的第一电极和第二电极。第二电极在电介质板上的正投影位于第一电极在电介质板上正投影的两端,以构成平行板电容器。传统的超构材料磁场增强组件中的两个平行板电容器分别位于电介质板的两端,使得磁场增强组件的谐振频率容易受到受测物体的影响,导致磁场增强组件的增强性能降低。

发明内容

基于此,针对上述问题,有必要提供一种磁场增强组件以及磁场增强器件。

本申请提供一种磁场增强组件,所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层以及第四电极层。第一电介质层具有相对设置的第一表面与第二表面,所述第一电介质层具有相对设置的第一端与第二端。第一电极层设置于所述第一表面,并覆盖部分所述第一表面,且靠近所述第二端设置。第二电极层设置于所述第二表面,并覆盖部分所述第二表面,且靠近所述第一端设置,所述第一电极层在所述第一电介质层的正投影与所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影部分重叠以形成第一结构电容,所述第一结构电容靠近所述第一电介质层的中部设置;

第三电极层设置于所述第二表面,覆盖部分所述第二表面,且靠近所述第二端设置,所述第三电极层与所述第二电极层间隔设置,所述第三电极层在所述第一电介质层的正投影位于所述第一电极层在所述第一电介质层的正投影中,形成第二结构电容。第四电极层设置于所述第一表面,覆盖部分所述第一表面,且靠近所述第一端设置,所述第四电极层与所述第一电极层间隔设置。所述第四电极层在所述第一电介质层的正投影位于所述第二电极层在所述第一电介质层的投影中,形成第三结构电容。

上述磁场增强组件以及磁场增强器件,通过本申请所述磁场增强组件,形成了所述第三结构电容、所述第一结构电容以及所述第二结构电容的三个电容串联的结构。所述第三结构电容、所述第一结构电容以及所述第二结构电容之间相互配合,使得所述磁场增强组件形成的增强器件,在MRI系统的射频接收阶段达到最佳谐振频率。所述磁场增强组件形成的增强器件与MRI设备的工作频率相同时,可以增强检测部位的磁场,起到磁场增强作用。

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