[发明专利]磁场增强组件以及磁场增强器件

权利要求书

1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层(100)，具有相对设置的第一表面(101)与第二表面(102)，所述第一电介质层(100)具有相对设置的第一端(103)与第二端(104)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，并覆盖部分所述第一表面(101)，且靠近所述第二端(104)设置；

第二电极层(120)，设置于所述第二表面(102)，并覆盖部分所述第二表面(102)，且靠近所述第一端(103)设置，所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠以形成第一结构电容(301)；

第三电极层(130)，设置于所述第二表面(102)，覆盖部分所述第二表面(102)，且靠近所述第二端(104)设置，所述第三电极层(130)与所述第二电极层(120)间隔设置，所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影位于所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影中，形成第二结构电容(302)；

第四电极层(140)，设置于所述第一表面(101)，覆盖部分所述第一表面(101)，且靠近所述第一端(103)设置，所述第四电极层(140)与所述第一电极层(110)间隔设置；

所述第四电极层(140)在所述第一电介质层(100)的正投影位于所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的投影中，形成第三结构电容(303)。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，沿着所述第一端(103)至所述第二端(104)方向上，所述第一结构电容(301)与所述第二结构电容(302)之间的所述第一电极层(110)的长度和所述第一结构电容(301)与所述第三结构电容(303)之间的所述第二电极层(120)的长度相同。

3.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一结构电容(301)与所述第二结构电容(302)之间的所述第一电极层(110)的宽度小于所述第一结构电容(301)对应的所述第一电极层(110)的宽度。

4.如权利要求3所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一结构电容(301)与所述第三结构电容(303)之间的所述第二电极层(120)的宽度小于所述第一结构电容(301)对应的所述第二电极层(120)的宽度。

5.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)包括第一层(111)与第二层(112)，所述第一层(111)与所述第二层(112)间隔设置，所述第二层(112)靠近所述第二端(104)设置，所述第一层(111)靠近所述第二层(112)设置，所述第一层(111)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，形成所述第一结构电容(301)，所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影位于所述第二层(112)在所述第一电介质层(100)的正投影中，形成所述第二结构电容(302)；

所述磁场增强组件还包括：

第一耗尽型MOS管(231)，所述第一耗尽型MOS管(231)的源极与所述第一层(111)靠近所述第二层(112)的一端连接，所述第一耗尽型MOS管(231)的栅极和漏极连接；

第二耗尽型MOS管(232)，所述第二耗尽型MOS管(232)的栅极和漏极连接，并与所述第一耗尽型MOS管(231)的栅极和漏极连接，所述第二耗尽型MOS管(232)的源极与所述第二层(112)连接。