[发明专利]基于二极管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件在审

专利信息
申请号: 202110183928.8 申请日: 2021-02-10
公开(公告)号: CN114910851A 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 赵乾;池中海;孟永钢;郑卓肇;易懿;王亚魁 申请(专利权)人: 清华大学;北京清华长庚医院
主分类号: G01R33/36 分类号: G01R33/36
代理公司: 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 代理人: 魏朋
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 二极管 非线性 响应 mri 图像 增强 表面 器件
【说明书】:

本申请涉及基于二极管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件,具体为磁场增强组件和磁场增强器件,磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第四电极层和第一开关控制电路。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第二电极层和第四电极层设置于第二表面。第一电极层分别与第二电极层和第四电极层在第一电介质层的正投影具有重叠部分。第一开关控制电路的两端分别与第一电极层和第二电极层连接。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通,在射频接收阶段断开。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通,在射频接收阶段断开。在射频发射阶段能够有效降低磁场增强对人体的不良影响,同时能够消除磁场增强组件干扰射频发射场的图像的伪影。

技术领域

本申请涉及核磁共振成像技术,特别是涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件。

背景技术

MRI(Magnetic Resonance Imaging,核磁共振成像技术)为非介入探测方式,是医药、生物、神经科学领域的一项重要的基础诊断技术。传统MRI设备传输的信号强度主要取决于静磁场B0的强度,采用高磁场甚至超高磁场系统可以提高图像的信噪比、分辨率和缩短扫描时间。然而静磁场强度的增加会带来如下三个问题:(1)射频(RF)场非均匀性增大,调谐难度增加;(2)人体组织产热增加,带来安全隐患,患者还容易出现眩晕和呕吐等不良反应:(3)购置成本大幅度增加,对大多数小规模医院来说是一种负担。因此,如何采用尽量小的静磁场强度同时能够获得高的成像质量成为MRI技术中一个至关重要的问题。

为了解决上述问题,现有技术提供了一种超构表面器件。所述超构表面器件包括支架,以及在圆弧形支架侧壁间隔排列的多个磁场增强组件。磁场增强组件可以用来提高射频磁场的强度和降低比吸收率,从而达到提高成像分辨率和减小信噪比的效果。

然而,目前提出的超构表面器件都是线性响应的,能够增强所有其谐振频率及其附近的射频磁场。核磁共振系统中存在两个射频阶段:射频发射阶段和射频接收阶段,这两个阶段的射频场具有相同的谐振频率。因此,超构表面器件在增强射频接收场的同时,还会大幅度增加射频发射场。射频发射场被增强之后,人体特种吸收率(specific absorptionrate,SAR)会大幅度增加,因此超构表面的加入会引起人体产热大幅度增加,带来安全问题。

发明内容

基于此,有必要针对上述问题,提供一种磁场增强组件和磁场增强器件。

一种磁场增强组件,包括:

第一电介质层,包括相对的第一表面和第二表面;

第一电极层,设置于所述第一表面;

第二电极层和第四电极层,间隔设置于所述第二表面,所述第一电极层分别与所述第二电极层和所述第四电极层在所述第一电介质层的正投影具有重叠部分,以及

第一开关控制电路,所述第一开关控制电路的两端分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接,所述第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通,在射频接收阶段断开。

本申请提供的磁场增强组件和磁场增强器件,所述第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通,在射频接收阶段断开。因此,在射频发射阶段,所述第一电极层和所述第二电极层被短路,无法构成所述第二结构电容。所述磁场增强组件无法增强射频发射场,能够有效降低磁场增强对人体的不良影响,同时能够消除磁场增强组件干扰射频发射场的图像的伪影。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例提供的磁场增强器件结构图;

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