[发明专利]基于二极管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件

权利要求书

1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层(100)，包括相对的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)；

第二电极层(120)和第四电极层(140)，间隔设置于所述第二表面(102)，所述第一电极层(110)分别与所述第二电极层(120)和所述第四电极层(140)在所述第一电介质层(100)的正投影具有重叠部分，以及

第一开关控制电路(430)，所述第一开关控制电路(430)的两端分别与所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)连接，所述第一开关控制电路(430)用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一开关控制电路(430)包括：

第一二极管(431)，所述第一二极管(431)的阳极与所述第一电极层(110)连接，所述第一二极管(431)的阴极与所述第二电极层(120)连接；

第二二极管(432)，所述第二二极管(432)的阴极与所述第一电极层(110)连接，所述第二二极管(432)的阳极与所述第二电极层(120)连接。

3.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一开关控制电路(430)包括：

第一增强型MOS管(433)，所述第一增强型MOS管(433)的源极与所述第二电极层(120)连接，所述第一增强型MOS管(433)的漏极与所述第一电极层(110)连接，所述第一增强型MOS管的栅极(433)与所述第一电极层(110)连接；以及

第二增强型MOS管(434)，所述第二增强型MOS管(434)的源极与所述第一电极层(110)连接，所述第二增强型MOS管(434)的漏极与所述第二电极层(120)连接，所述第二增强型MOS管(434)的栅极与所述第二电极层(120)连接。

4.如权利要求1-3任一项所述的磁场增强组件，其特征在于，还包括第一外接电容(440)，所述第一外接电容(440)的两端分别与所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)连接。

5.一种磁场增强组件，其特征在于，包括:

第一电介质层(100)，包括相对设置的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，所述第一电极层(110)覆盖部分所述第一表面(101)；

第二电极层(120)，设置于所述第二表面(102)，所述第二电极层(120)覆盖部分所述第二表面(102)，所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠形成第一结构电容(150)；

第一开关控制电路(430)，所述第一开关控制电路(430)的两端分别与所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)连接，所述第一开关控制电路(430)用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。

6.如权利要求5所述的磁场增强组件，其特征在于，

所述第一电介质层(100)包括相对的第一端(103)和第二端(104)；

所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)为宽度相同的条形，所述第一电极层(110)由所述第二端(104)向所述第一端(103)延伸，所述第二电极层(120)由所述第一端(103)向所述第二端(104)延伸；

所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠形成所述第一结构电容(150)。

7.如权利要求6所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)正投影重合的部分位于所述第一电介质层(100)的中部。