[发明专利]磁场增强组件以及磁场增强器件

说明书

本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层以及第四控制电路。所述第一电介质层具有第一表面。所述第一电介质层具有相对设置的第一端与第二端。所述第一电极层设置于所述第一表面，且靠近所述第二端设置。所述第二电极层设置于所述第一表面，并与所述第一电极层间隔设置，且靠近所述第一端设置。所述第四控制电路的一端与所述第二电极层远离所述第一端的一端连接。所述第四控制电路的另一端与所述第一电极层远离所述第二端的一端连接。所述第四控制电路用于控制所述第一电极层与所述第二电极层在射频发射阶段断开，且在射频接收阶段连接。

技术领域

本申请涉及磁共振成像技术领域，特别是涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。

背景技术

MRI(Magnetic Resonance Imaging，核磁共振成像技术)为非介入探测方式，是医药、生物、神经科学领域的一项重要的基础诊断技术。传统MRI设备传输的信号强度主要取决于静磁场B0的强度，采用高磁场甚至超高磁场系统可以提高图像的信噪比、分辨率和缩短扫描时间。但是，静磁场强度的增加会带来如下三个问题：1)射频(RF)场非均匀性增大，调谐难度增加；2)人体组织产热增加，带来安全隐患，患者还容易出现眩晕和呕吐等不良反应：3)购置成本大幅度增加，对大多数小规模医院来说是一种负担。因此，如何采用尽量小的静磁场强度同时能够获得高的成像质量成为MRI技术中一个至关重要的问题。

其中，通过在MRI中引入具有高介电常数的板或柱状的介电谐振子来提高射频磁场的强度和降低比吸收率，从而达到提高成像分辨率和减小信噪比的效果，是一种能有效提高MRI特征的新趋势。超构材料的出现为MRI成像质量和效率的提高，提供了一种新颖的更有效的方法。超构材料具有许多天然材料所不具备的特殊性质。通过电磁波与超构材料的金属或电介质基元间的相互作用及基元间的耦合效应，可以实现对电磁波传播路径与电磁场场强分布的控制。其中，具体工作原理是利用超构材料形成的结构中的电磁谐振，实现呈各向异性和梯度分布等电磁参数的调节。并且，通过对超构材料的几何尺寸、形状和介电常数等参数的设计，能够实现对不同频点的谐振增强。

在核磁共振系统中，存在两个射频阶段：射频发射阶段和射频接收阶段。射频发射阶段和射频接收阶段的射频场具有相同的谐振频率。因此，超构材料形成的结构，在增强射频接收场的同时，还会大幅度增加射频发射场。此时，射频发射场被增强之后，会降低MRI图像质量。然而，传统的磁场增强组件包括电介质板和分别位于电介质板正面和背面的第一电极和第二电极。第二电极在电介质板上的正投影位于第一电极在电介质板上正投影的两端，以构成平行板电容器。此时，传统的磁场增强组件的结构只具有频率选择性，使得磁场增强组件呈现线性响应的特性，会同时增强射频发射场和射频接收场，导致MRI 图像质量降低。

发明内容

基于此，针对上述问题，有必要提供一种磁场增强组件以及磁场增强器件。

本申请提供一种磁场增强组件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层以及第四控制电路。所述第一电介质层具有第一表面。所述第一电介质层具有相对设置的第一端与第二端。第一电极层设置于所述第一表面，且靠近所述第二端设置。第二电极层设置于所述第一表面，并与所述第一电极层间隔设置，且靠近所述第一端设置。所述第四控制电路的一端与所述第二电极层远离所述第一端的一端连接，所述第四控制电路的另一端与所述第一电极层远离所述第二端的一端连接。所述第四控制电路用于控制所述第一电极层与所述第二电极层在射频发射阶段断开，且在射频接收阶段连接。